![FDMC7680 FDMC7680](https://media.digikey.com/Renders/Fairchild%20Semi%20Renders/8-MLP,%20Power33.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 49.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC7680 ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 31W; WDFN8, Mounting: SMD, Drain current: 18A, On-state resistance: 9.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 31W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 42nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 45A, Case: WDFN8, Drain-source voltage: 30V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMC7680 за ціною від 45.01 грн до 2587.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMC7680 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FDMC7680 | Виробник : Rochester Electronics, LLC |
![]() |
на замовлення 11422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
FDMC7680 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
FDMC7680 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 31W; WDFN8 Mounting: SMD Drain current: 18A On-state resistance: 9.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Case: WDFN8 Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
FDMC7680 | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
FDMC7680 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 31W; WDFN8 Mounting: SMD Drain current: 18A On-state resistance: 9.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 45A Case: WDFN8 Drain-source voltage: 30V |
товар відсутній |