FDMA86151L ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 53.97 грн |
| 500+ | 35.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA86151L ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMA86151L за ціною від 30.03 грн до 98.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA86151L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA86151L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMA86151L | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMA86151L | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22 |
на замовлення 12428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDMA86151L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 20A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.4W Gate charge: 7.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FDMA86151L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMA86151L | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 20A; 2.4W; MicroFET Mounting: SMD Case: MicroFET Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.4W Gate charge: 7.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 20A |
товар відсутній |