![FDMA1027P FDMA1027P](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2011/5/29/2/21/26/996/fsc_/manual/mlpep-6.jpg)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 20.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA1027P ON Semiconductor
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -6A; MicroFET, Type of transistor: P-MOSFET x2, Technology: PowerTrench®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3A, Pulsed drain current: -6A, Case: MicroFET, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.24Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 6nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDMA1027P за ціною від 18.77 грн до 61.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMA1027P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDMA1027P | Виробник : FAI |
![]() |
на замовлення 112300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDMA1027P | Виробник : Fairchild |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDMA1027P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -6A; MicroFET Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -6A Case: MicroFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMA1027P | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMA1027P | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMA1027P | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMA1027P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -6A; MicroFET Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -6A Case: MicroFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |