FDMC8030 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 39.78 грн |
| 6000+ | 36.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMC8030 onsemi
Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 14W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMC8030 за ціною від 33.75 грн до 118.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMC8030 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm Verlustleistung, p-Kanal: 14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDMC8030 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMC8030 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMC8030 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3) |
на замовлення 8259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDMC8030 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET FPS |
на замовлення 32875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDMC8030 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm Verlustleistung, p-Kanal: 14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDMC8030 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| FDMC8030 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 14W; WDFN8 Power dissipation: 14W Case: WDFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| FDMC8030 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 14W; WDFN8 Power dissipation: 14W Case: WDFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 12A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
товар відсутній |