Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (18482) > Сторінка 279 з 309

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 300 309  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CS19-12HO1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet description It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
CS20-14IO1 IXYS CS20-14io1.pdf It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+199.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
CS20-16IO1 IXYS CS20-16io1.pdf It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+198.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCC26-12io8B IXYS MCC26-12io8B.pdf Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1186.04 грн
CPC1303G IXYS CPC1303.pdf Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1303GR IXYS CPC1303.pdf Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1006N IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=68192b6b-0450-4283-a5d3-82bb5953e40b&filename=cpc1006n SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
CPC1008NTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476&filename=littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-series-datasheet (polish version) SPST-NO; 50mA; SSR; 1 fazowy, sta?opr?dowy; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1017N IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=a949d001-e3a7-4d05-997d-7fab50bddf6d&filename=cpc1017n 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
CPC1017NTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=a949d001-e3a7-4d05-997d-7fab50bddf6d&filename=cpc1017n 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1017NTR IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=a949d001-e3a7-4d05-997d-7fab50bddf6d&filename=cpc1017n 60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1125N IXYS CPC1125N.pdf Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP CPC1125NTR CPC1125N P CPC1125N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
CPC1561BTR IXYS CPC1561B.pdf 1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+512.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXGH28N120B Ixys littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
IXTH20N60 Ixys crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
MG12300D-BN2MM IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=96b0faab-d906-413a-8e95-40022164d554&filename=littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12300d_bn2mm_datasheet.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: Y3-DCB
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
товару немає в наявності
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+699.02 грн
2+ 493.84 грн
5+ 467.23 грн
120+ 458.36 грн
IXFH50N60X IXFH50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.85 грн
2+ 561.12 грн
5+ 530.07 грн
IXFQ50N60P3 IXFQ50N60P3 IXYS IXFH(T,Q)50N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+576.42 грн
2+ 445.05 грн
6+ 420.65 грн
30+ 404.39 грн
IXFQ50N60X IXFQ50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
товару немає в наявності
IXDN604PI IXDN604PI IXYS IXDD604PI.pdf IXD_604.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.85 грн
10+ 85.76 грн
12+ 76.89 грн
31+ 73.19 грн
250+ 71.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXDN604SI IXDN604SI IXYS IXDD604PI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.43 грн
7+ 141.94 грн
17+ 133.81 грн
500+ 130.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXDN604SIA IXDN604SIA IXYS IXDD604PI.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.33 грн
10+ 77.62 грн
31+ 73.19 грн
50+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFN56N90P IXFN56N90P IXYS IXFN56N90P.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
IXFH60N60X IXFH60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
IXFH60N60X3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n60x3_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
IXFQ60N60X IXFQ60N60X IXYS IXFH(Q)60N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
IXFT60N60X3HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixft60n60x3hv_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.02 грн
2+ 621.74 грн
4+ 587.73 грн
IXGT60N60C3D1 IXGT60N60C3D1 IXYS IXGH60N60C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.23 грн
3+ 331.94 грн
8+ 314.2 грн
IXKH24N60C5 IXKH24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
IXKP24N60C5 IXKP24N60C5 IXYS IXKH(P)24N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M IXYS IXKP24N60C5M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
NCD2400MTR IXYS NCD2400M.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: digital capacitor; 2-wire,I2C; EEPROM,non-volatile; DFN6
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.5...5.5V
Operating temperature: -40...105°C
Application: for OCXO application
Interface: 2-wire; I2C
Case: DFN6
Capacitance: 1.7...203pF
Type of integrated circuit: digital capacitor
Kind of memory: EEPROM; non-volatile
Integrated circuit features: programmable
Number of positions: 512
товару немає в наявності
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+127.38 грн
9+ 98.32 грн
25+ 93.15 грн
50+ 91.67 грн
100+ 89.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.55 грн
10+ 125.68 грн
50+ 121.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
товару немає в наявності
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.01 грн
5+ 135.29 грн
8+ 121.98 грн
20+ 115.33 грн
70+ 113.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.98 грн
8+ 121.98 грн
20+ 115.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.88 грн
5+ 122.72 грн
8+ 110.15 грн
22+ 104.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP8N70X2 IXTP8N70X2 IXYS IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.87 грн
3+ 196.65 грн
6+ 156.73 грн
16+ 148.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3 IXYS IXYP10N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
товару немає в наявності
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M IXYS IXYP10N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.38 грн
8+ 116.81 грн
21+ 110.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4 IXYS IXXH110N65C4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Gate charge: 167nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.23 грн
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 IXYS IXX_110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1276.23 грн
2+ 1120.76 грн
IXFA10N80P IXFA10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+378.97 грн
4+ 242.49 грн
10+ 229.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP10N80P IXFP10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2 IXYS IXTH12N70X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.13 грн
3+ 286.1 грн
9+ 269.84 грн
IXTP12N70X2 IXTP12N70X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_12n70x2_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.82 грн
3+ 238.79 грн
5+ 190 грн
13+ 179.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N70X2M IXTP12N70X2M IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=4bb2c099-7b50-4035-add3-db2b7c47c846&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp12n70x2m_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.82 грн
3+ 238.79 грн
5+ 182.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.47 грн
7+ 124.94 грн
19+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3 IXYS IXYP15N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
IXYP15N65C3D1 IXYP15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS IXYP15N65C3D1M.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
DSS16-0045A DSS16-0045A IXYS DSS16-0045A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.57V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.36 грн
10+ 69.49 грн
14+ 62.1 грн
39+ 59.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
DSS16-0045AS-TUB IXYS DSS16-0045A.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 16A; D2PAK; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.57V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
товару немає в наявності
IXFA20N50P3 IXFA20N50P3 IXYS IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.94 грн
3+ 182.6 грн
10+ 170.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
CS19-12HO1 description media?resourcetype=datasheets&itemid=d3d77e7a-0941-46af-ae2e-9d1d6ea11de5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-CS19-12ho1-Datasheet
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,2kV; Igt=50mA;   CS19-12HO1 IXYS TYCS19-12ho1
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
CS20-14IO1 CS20-14io1.pdf
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,4kV; Igt=80mA   CS20-14IO1 IXYS TYCS20-14io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+199.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
CS20-16IO1 CS20-16io1.pdf
Виробник: IXYS
It=31A; Vdrm=1,6kV; Igt=80mA   CS20-16IO1 IXYS TYCS20-16io1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+198.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
MCC26-12io8B MCC26-12io8B.pdf
Виробник: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A   MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1186.04 грн
CPC1303G CPC1303.pdf
Виробник: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1303GR CPC1303.pdf
Виробник: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1006N media?resourcetype=datasheets&itemid=68192b6b-0450-4283-a5d3-82bb5953e40b&filename=cpc1006n
Виробник: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
CPC1008NTR media?resourcetype=datasheets&itemid=55b0a818-3bfd-483f-9372-c078b9202476&filename=littelfuse-integrated-circuits-cpc1008n-series-datasheet
Виробник: IXYS
(polish version) SPST-NO; 50mA; SSR; 1 fazowy, sta?opr?dowy; 1,5kV; 2ms 4,09x3,81x2,03mm P CPC1008N IXYS
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+49.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1017N media?resourcetype=datasheets&itemid=a949d001-e3a7-4d05-997d-7fab50bddf6d&filename=cpc1017n
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
CPC1017NTR media?resourcetype=datasheets&itemid=a949d001-e3a7-4d05-997d-7fab50bddf6d&filename=cpc1017n
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1017NTR media?resourcetype=datasheets&itemid=a949d001-e3a7-4d05-997d-7fab50bddf6d&filename=cpc1017n
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
CPC1125N CPC1125N.pdf
Виробник: IXYS
Relay SSR 50mA 1.4V DC-IN 0.1A 400V DC-OUT 4-Pin SOP CPC1125NTR CPC1125N P CPC1125N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+74.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
CPC1561BTR CPC1561B.pdf
Виробник: IXYS
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+512.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXGH28N120B littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgt28n120b_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
IXTH20N60 crete_mosfets_n-channel_standard_ixtm20n60_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Ixys
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
MG12300D-BN2MM media?resourcetype=datasheets&itemid=96b0faab-d906-413a-8e95-40022164d554&filename=littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12300d_bn2mm_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: Y3-DCB
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
товару немає в наявності
IXFH50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+699.02 грн
2+ 493.84 грн
5+ 467.23 грн
120+ 458.36 грн
IXFH50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFH50N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+816.85 грн
2+ 561.12 грн
5+ 530.07 грн
IXFQ50N60P3 IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
IXFQ50N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+576.42 грн
2+ 445.05 грн
6+ 420.65 грн
30+ 404.39 грн
IXFQ50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFQ50N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
товару немає в наявності
IXDN604PI IXDD604PI.pdf IXD_604.pdf
IXDN604PI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.85 грн
10+ 85.76 грн
12+ 76.89 грн
31+ 73.19 грн
250+ 71.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXDN604SI IXDD604PI.pdf
IXDN604SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8-EP
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.43 грн
7+ 141.94 грн
17+ 133.81 грн
500+ 130.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXDN604SIA IXDD604PI.pdf
IXDN604SIA
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+96.33 грн
10+ 77.62 грн
31+ 73.19 грн
50+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFN56N90P IXFN56N90P.pdf
IXFN56N90P
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
IXFH60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFH60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
IXFH60N60X3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n60x3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
IXFQ60N60X IXFH(Q)60N60X.pdf
IXFQ60N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
IXFT60N60X3HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixft60n60x3hv_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
IXGH60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGH60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+906.02 грн
2+ 621.74 грн
4+ 587.73 грн
IXGT60N60C3D1 IXGH60N60C3D1.pdf
IXGT60N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 380W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 198ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+448.23 грн
3+ 331.94 грн
8+ 314.2 грн
IXKH24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKH24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
IXKP24N60C5 IXKH(P)24N60C5.pdf
IXKP24N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
товару немає в наявності
IXKP24N60C5M IXKP24N60C5M.pdf
IXKP24N60C5M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.5A; TO220FP; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
товару немає в наявності
NCD2400MTR NCD2400M.pdf
Виробник: IXYS
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: digital capacitor; 2-wire,I2C; EEPROM,non-volatile; DFN6
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.5...5.5V
Operating temperature: -40...105°C
Application: for OCXO application
Interface: 2-wire; I2C
Case: DFN6
Capacitance: 1.7...203pF
Type of integrated circuit: digital capacitor
Kind of memory: EEPROM; non-volatile
Integrated circuit features: programmable
Number of positions: 512
товару немає в наявності
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+127.38 грн
9+ 98.32 грн
25+ 93.15 грн
50+ 91.67 грн
100+ 89.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.55 грн
10+ 125.68 грн
50+ 121.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
товару немає в наявності
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+164.01 грн
5+ 135.29 грн
8+ 121.98 грн
20+ 115.33 грн
70+ 113.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.98 грн
8+ 121.98 грн
20+ 115.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.88 грн
5+ 122.72 грн
8+ 110.15 грн
22+ 104.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP8N70X2 IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf
IXTP8N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.87 грн
3+ 196.65 грн
6+ 156.73 грн
16+ 148.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYP10N65C3 IXYP10N65C3.pdf
IXYP10N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 10A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 54A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
товару немає в наявності
IXYP10N65C3D1M IXYP10N65C3D1M.pdf
IXYP10N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 53W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 128ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.38 грн
8+ 116.81 грн
21+ 110.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXXH110N65C4 IXXH110N65C4.pdf
IXXH110N65C4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 160ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 880W
Gate charge: 167nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 600A
Turn-on time: 71ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+862.23 грн
IXXK110N65B4H1 IXX_110N65B4H1.pdf
IXXK110N65B4H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 110A
Power dissipation: 880W
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 570A
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1276.23 грн
2+ 1120.76 грн
IXFA10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFA10N80P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Technology: HiPerFET™; Polar™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+378.97 грн
4+ 242.49 грн
10+ 229.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFP10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
IXTH12N70X2 IXTH12N70X2.pdf
IXTH12N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; 180W; TO247-3; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+429.13 грн
3+ 286.1 грн
9+ 269.84 грн
IXTP12N70X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_12n70x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP12N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.82 грн
3+ 238.79 грн
5+ 190 грн
13+ 179.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP12N70X2M media?resourcetype=datasheets&itemid=4bb2c099-7b50-4035-add3-db2b7c47c846&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp12n70x2m_datasheet.pdf
IXTP12N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.82 грн
3+ 238.79 грн
5+ 182.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+157.47 грн
7+ 124.94 грн
19+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYP15N65C3 IXYP15N65C3.pdf
IXYP15N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
IXYP15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYP15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
товару немає в наявності
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M.pdf
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 57W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 122ns
товару немає в наявності
DSS16-0045A DSS16-0045A.pdf
DSS16-0045A
Виробник: IXYS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 16A; TO220AC; Ufmax: 0.57V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.57V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.36 грн
10+ 69.49 грн
14+ 62.1 грн
39+ 59.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
DSS16-0045AS-TUB DSS16-0045A.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 45V; 16A; D2PAK; tube; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 0.57V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 280A
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
товару немає в наявності
IXFA20N50P3 IXFA(H,P,Q)20N50P3.pdf
IXFA20N50P3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.94 грн
3+ 182.6 грн
10+ 170.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 30 60 90 120 150 180 210 240 270 274 275 276 277 278 279 280 281 282 283 284 300 309  [ Наступна Сторінка >> ]