IXFA8N65X2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 134.55 грн |
10+ | 125.68 грн |
50+ | 121.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFA8N65X2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HiPerFET™; X2-Class, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 8A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.45Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 105ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFA8N65X2 за ціною від 146.38 грн до 192.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFA8N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFA8N65X2 | Виробник : IXYS | MOSFET 650V/8A TO-263 |
товару немає в наявності |