IXFH50N60P3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 684.74 грн |
| 2+ | 483.76 грн |
| 5+ | 456.96 грн |
| 120+ | 448.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH50N60P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFH50N60P3 за ціною від 417.47 грн до 821.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH50N60P3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH50N60P3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH50N60P3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFH50N60P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH50N60P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFH50N60P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXFH50N60P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |