![IXFH60N60X3 IXFH60N60X3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4060/MFG_Littelfuse_Power_Semi_TO247-3L.jpg)
IXFH60N60X3 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n60x3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 845.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH60N60X3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH60N60X3 за ціною від 909.01 грн до 909.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH60N60X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||
IXFH60N60X3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
||||||
IXFH60N60X3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 175ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
IXFH60N60X3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 175ns |
товар відсутній |