![IXXH110N65C4 IXXH110N65C4](https://www.mouser.com/images/ixys/lrg/to247ad.jpg)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 823.25 грн |
10+ | 780.31 грн |
30+ | 563.13 грн |
60+ | 562.43 грн |
120+ | 503.34 грн |
510+ | 463.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXXH110N65C4 IXYS
Description: IGBT 650V 234A 880W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns, Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 234 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 880 W.
Інші пропозиції IXXH110N65C4 за ціною від 637.86 грн до 1013.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 880 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 235 Bauform - Transistor: TO-247AD Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: XPT GenX4 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 110A Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 110A; 880W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 110A Power dissipation: 880W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXXH110N65C4 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXXH110N65C4 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 234 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 880 W |
товар відсутній |