IXGH60N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH60N60C3D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 380 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 868.25 грн |
| 5+ | 808.88 грн |
| 10+ | 749.50 грн |
| 50+ | 640.12 грн |
| 100+ | 539.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH60N60C3D1 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IGBT 600V 75A 380W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns, Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off), Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 115 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 380 W.
Інші пропозиції IXGH60N60C3D1 за ціною від 501.38 грн до 1053.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGH60N60C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Type of transistor: IGBT Collector current: 60A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 380W Kind of package: tube Gate charge: 115nC Technology: GenX3™; PT Pulsed collector current: 300A |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXGH60N60C3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 600V 75A 380W TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 21ns/70ns Switching Energy: 800µJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 380 W |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXGH60N60C3D1 | Виробник : IXYS |
IGBTs 60 Amps 600V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXGH60N60C3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Turn-on time: 54ns Turn-off time: 198ns Type of transistor: IGBT Collector current: 60A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 380W Kind of package: tube Gate charge: 115nC Technology: GenX3™; PT Pulsed collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXGH60N60C3D1 Код товару: 148221 |
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
 |
IXGH60N60C3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXGH60N60C3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380W 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |