![IXFN56N90P IXFN56N90P](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/408/IXYN82N120C3H1.jpg)
IXFN56N90P Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfn56n90p_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4077.55 грн |
10+ | 3569.29 грн |
100+ | 3212.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFN56N90P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFN56N90P за ціною від 3209.12 грн до 4250.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFN56N90P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P Код товару: 101753 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |