Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSS2X101-02A | IXYS |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IX4340N | IXYS |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||
IX4340UETR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IX4427N | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IX4428NTR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD604SITR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD604SIATR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD609SI | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD609SIA | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD614SI | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDD630YI | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDF604SIA | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDI614CI | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDI630CI | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDN604PI | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDN604SIA | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDN609SIA | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDN609YI | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXDN614SI | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CPC3703CTR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXGR48N60C3D1 | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CLA30E1200HB | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CLA30E1200PB | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CLA80E1200HF | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CS19-08ho1 | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CS19-12HO1 | IXYS |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CS20-14IO1 | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CS20-16IO1 | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
MCC26-12io8B | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CPC1303G | IXYS |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||
CPC1303GR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 287 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CPC1006N | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CPC1017N | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CPC1017NTR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 238 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CPC1017NTR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
CPC1561BTR | IXYS |
![]() кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXGH28N120B | Ixys |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXTH20N60 | Ixys |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
Z84C0006PEG | Ixys |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
MCC255-12io1 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V Type of module: thyristor Max. forward voltage: 1.36V Load current: 250A Semiconductor structure: double series Gate current: 150/220mA Kind of package: bulk Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: Y1 Max. off-state voltage: 1.2kV |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
MCC255-14io1 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V Type of module: thyristor Max. forward voltage: 1.36V Load current: 250A Semiconductor structure: double series Gate current: 150/220mA Kind of package: bulk Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: Y1 Max. off-state voltage: 1.4kV |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
MCC255-16io1 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V Type of module: thyristor Max. forward voltage: 1.08V Load current: 250A Semiconductor structure: double series Gate current: 150/220mA Max. forward impulse current: 7.82kA Kind of package: bulk Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: Y1-CU Max. off-state voltage: 1.6kV |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
MCC255-18io1 | IXYS |
![]() Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V Type of module: thyristor Max. forward voltage: 1.08V Load current: 250A Semiconductor structure: double series Gate current: 150/220mA Max. forward impulse current: 7.82kA Kind of package: bulk Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: Y1-CU Max. off-state voltage: 1.8kV |
товар відсутній |
|||||||||||||
MG12300D-BN2MM | IXYS |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Case: Y3-DCB Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IXFH50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFQ50N60P3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 1.04kW Case: TO3P On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFQ50N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Power dissipation: 660W Case: TO3P On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 195ns |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXDN604PI | IXYS |
![]() ![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: DIP8 Output current: -4...4A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...35V Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDN604SI | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Case: SO8-EP Mounting: SMD Kind of package: tube Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns Output current: -4...4A Operating temperature: -40...125°C Kind of output: non-inverting Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Supply voltage: 4.5...35V Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 |
на замовлення 911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDN604SIA | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns Output current: -4...4A Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 4.5...35V Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of output: non-inverting Kind of integrated circuit: gate driver; low-side |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXDN604SIATR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns Output current: -4...4A Operating temperature: -40...125°C Kind of output: non-inverting Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Supply voltage: 4.5...35V Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 |
товар відсутній |
|||||||||||||
IXDN604SITR | IXYS |
![]() Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V Case: SO8-EP Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Turn-on time: 81ns Turn-off time: 79ns Output current: -4...4A Operating temperature: -40...125°C Kind of output: non-inverting Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Supply voltage: 4.5...35V Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IXFN56N90P | IXYS |
![]() Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 56A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 1kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.145Ω Gate charge: 375nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 300ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |
|||||||||||||
IXGH90N60B3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 660W; TO247 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 660W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 220ns |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IXFH60N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO247-3 On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IXFH60N60X2A | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 120A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 180ns Application: automotive industry |
товар відсутній |
|||||||||||||
IXFH60N60X3 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 175ns |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
IXFQ60N60X | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Power dissipation: 890W Case: TO3P On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 143nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |
|||||||||||||
IXFT60N60X3HV | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO268HV Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 175ns |
товар відсутній |
DSS2X101-02A |
![]() |
Виробник: IXYS
Диод Шоттки SOT-227B (miniBLOC) U=200 V I=100 A (per Diode) Pair Independent
Диод Шоттки SOT-227B (miniBLOC) U=200 V I=100 A (per Diode) Pair Independent
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4018 грн |
IX4340N |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Driver IC, 5-20V, 2 Ch, IX4340N IX4340N UIIX4340n
Gate Driver IC, 5-20V, 2 Ch, IX4340N IX4340N UIIX4340n
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)IX4340UETR |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Dual Low-Side; 2/2; 5A; 7ns; 5V~20V; -55°C~150°C; IX4340UETR IX4340UE UIIX4340ue
кількість в упаковці: 50 шт
Gate Drivers; Dual Low-Side; 2/2; 5A; 7ns; 5V~20V; -55°C~150°C; IX4340UETR IX4340UE UIIX4340ue
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 36.2 грн |
IX4427N |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 1.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC IX4427N IX4427NTR IX4427N UIIX4427n
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 1.5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC IX4427N IX4427NTR IX4427N UIIX4427n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 36.2 грн |
IX4428NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428n
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Driver IC, 4,5V~35V; 2Ch; Low Side Inv/Non-Inv; 1,2A; 10ns, 8ns; -40°C~125°C; Substitute: IX4428N; IX4428NTR UIIX4428n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 35.32 грн |
IXDD604SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SI UIIXDD604si
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD604SITR; IXDD604SI UIIXDD604si
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 128.75 грн |
IXDD604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Driver 2-OUT Low Side Non-Inv; 4A; 9ns; 4.5V~35V; -40°C~125°C; IXDD604SIA IXDD604SIATR UIIXDD604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 69.76 грн |
IXDD609SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609si
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP IXDD609SITR IXDD609SI UIIXDD609si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 82.66 грн |
IXDD609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA IXYS UIIXDD609sia
кількість в упаковці: 10 шт
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDD609SIATR; IXDD609SIA IXYS UIIXDD609sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 68.7 грн |
IXDD614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614si
кількість в упаковці: 2 шт
Low Side Inverting Driver, 14A Peak, 4.5?35V, -55?150°C IXDD614SI IXYS UIIXDD614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 162.31 грн |
IXDD630YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Non-Inv 6-Pin(5+Tab) TO-263 IXDD630YI UIIXDD630yi
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 30A 1-OUT Low Side Non-Inv 6-Pin(5+Tab) TO-263 IXDD630YI UIIXDD630yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 285.76 грн |
IXDF604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDF604SIATR IXDF604SIA IXYS UIIXDF604sia
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.7 грн |
IXDI614CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI614CI IXYS UIIXDI614ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 183.68 грн |
IXDI630CI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 30A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin(5+Tab) TO-220 IXDI630CI UIIXDI630ci
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 282.59 грн |
IXDN604PI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin PDIP IXDN604PI UIIXDN604pi
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 69.59 грн |
IXDN604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 2 шт
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN604SIA IXDN604SIATR IXDN604SIA UIIXDN604sia
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 60.05 грн |
IXDN609SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
Driver 9A 1-OUT Low Side Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC IXDN609SIATR UIIXDN609sia
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.16 грн |
IXDN609YI |
![]() |
Виробник: IXYS
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
Gate Drivers; Low-Side; Ultrafast MOSFET; 1/1; 9A; 22ns; 4.5V~35V; -55°C~150°C; IXDN609YI UIIXDN609yi
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 142.53 грн |
IXDN614SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
Driver; 14A; 1-OUT Low Side Non-Inv; 1-CH; 4,5V~35V; -40°C~125°C; Substitute: IXDN614SI; IXDN614SITR; IXDN614SITR UIIXDN614si
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 181.56 грн |
CPC3703CTR |
![]() |
Виробник: IXYS
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 250V Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 Tube CPC3703CTR CPC3703C IXYS TCPC3703c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.56 грн |
IXGR48N60C3D1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 486.93 грн |
CLA30E1200HB |
![]() |
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 132.28 грн |
CLA30E1200PB |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 134.05 грн |
CLA80E1200HF |
![]() |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 323.56 грн |
CS19-08ho1 |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 91.67 грн |
CS19-12HO1 | ![]() |
![]() |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 100.5 грн |
CS20-14IO1 |
![]() |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 192.86 грн |
CS20-16IO1 |
![]() |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 191.1 грн |
MCC26-12io8B |
![]() |
Виробник: IXYS
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
Module; double series; 1.2kV; 27A; TO240AA; Ufmax: 1.27V; Ifsm: 440A MCC26-12IO8B IXYS MO MCC26-12IO8B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1144.47 грн |
CPC1303G |
![]() |
Виробник: IXYS
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP CPC1303G OOCPC1303g
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)CPC1303GR |
![]() |
Виробник: IXYS
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
Single-Channel CTR 200-2500% Vce 30V Uiso 5,0kV Transistor CPC1303GR , CPC1303GRTR CPC1303GR IXYS OOCPC1303gr
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 48.22 грн |
CPC1006N |
![]() |
Виробник: IXYS
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
SPST-NO; 60VDC; 50mA; SOP-4 CPC1006NTR CPC1006N IXYS SSR P CPC1006N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 55.1 грн |
CPC1017N |
![]() |
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 55.1 грн |
CPC1017NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 45.92 грн |
CPC1017NTR |
![]() |
Виробник: IXYS
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
60VDC; SPST; 50mA; MOSFET; SMD/SMT 400mW; 4 x 3,8 x 2,1mm; pakowanie: tuba 100pcs ; CPC1017NTR 2Kpcs/reel ; CPC1017N; CPC1017NTR; CPC1017N; CPC1017NTR P CPC1017N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 45.92 грн |
CPC1561BTR |
![]() |
Виробник: IXYS
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
кількість в упаковці: 2 шт
1A; 60V AC/DC; SPST-NO; SOP-16; 10,211 x 7,493 x 2,337mm; SSR; CPC1561B P CPC1561B
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 494.34 грн |
IXGH28N120B |
![]() |
Виробник: Ixys
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
MCC255-12io1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V
Type of module: thyristor
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: Y1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.2kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V
Type of module: thyristor
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: Y1
Max. off-state voltage: 1.2kV
товар відсутній
MCC255-14io1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V
Type of module: thyristor
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: Y1
Max. off-state voltage: 1.4kV
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 250A; Y1; Ufmax: 1.36V
Type of module: thyristor
Max. forward voltage: 1.36V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: Y1
Max. off-state voltage: 1.4kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11578.27 грн |
MCC255-16io1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V
Type of module: thyristor
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 7.82kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V
Type of module: thyristor
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 7.82kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.6kV
товар відсутній
MCC255-18io1 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V
Type of module: thyristor
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 7.82kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 250A; Y1-CU; Ufmax: 1.08V
Type of module: thyristor
Max. forward voltage: 1.08V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 150/220mA
Max. forward impulse current: 7.82kA
Kind of package: bulk
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: Y1-CU
Max. off-state voltage: 1.8kV
товар відсутній
MG12300D-BN2MM |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: Y3-DCB
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: Y3-DCB
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
товар відсутній
IXFH50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 684.74 грн |
2+ | 483.76 грн |
5+ | 456.96 грн |
120+ | 448.99 грн |
IXFH50N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 800.17 грн |
2+ | 548.93 грн |
5+ | 519.24 грн |
IXFQ50N60P3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO3P
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 564.64 грн |
2+ | 436.68 грн |
3+ | 435.96 грн |
6+ | 412.79 грн |
10+ | 412.06 грн |
30+ | 396.13 грн |
IXFQ50N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO3P
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
товар відсутній
IXDN604PI |
![]() ![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; DIP8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -4...4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.87 грн |
10+ | 84.01 грн |
12+ | 75.32 грн |
31+ | 71.69 грн |
250+ | 70.25 грн |
IXDN604SI |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Supply voltage: 4.5...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Supply voltage: 4.5...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 187.17 грн |
5+ | 154.25 грн |
6+ | 139.77 грн |
17+ | 131.8 грн |
100+ | 129.63 грн |
IXDN604SIA |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 95.93 грн |
11+ | 78.94 грн |
30+ | 74.59 грн |
50+ | 71.69 грн |
IXDN604SIATR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Supply voltage: 4.5...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Supply voltage: 4.5...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
товар відсутній
IXDN604SITR |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Supply voltage: 4.5...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -4÷4A; Ch: 2; 4.5÷35V
Case: SO8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 81ns
Turn-off time: 79ns
Output current: -4...4A
Operating temperature: -40...125°C
Kind of output: non-inverting
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Supply voltage: 4.5...35V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
товар відсутній
IXFN56N90P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 900V; 56A; SOT227B; screw; Idm: 168A
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 1kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 375nC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 300ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
IXGH90N60B3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 660W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 660W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 220ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 660W; TO247
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 660W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 172nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 220ns
товар відсутній
IXFH60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO247-3; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXFH60N60X2A |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
Application: automotive industry
товар відсутній
IXFH60N60X3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 175ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 175ns
товар відсутній
IXFQ60N60X |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 890W; TO3P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 890W
Case: TO3P
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXFT60N60X3HV |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 175ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 175ns
товар відсутній