Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > Всі товари виробника TEXAS INSTRUMENTS (590041) > Сторінка 4835 з 9835

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 983 1966 2949 3932 4830 4831 4832 4833 4834 4835 4836 4837 4838 4839 4840 4915 5898 6881 7864 8847 9830 9835  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CSD19532KTTT CSD19532KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.47 грн
3+ 194.5 грн
7+ 144.61 грн
20+ 136.77 грн
50+ 129.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19532Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19533KCS CSD19533KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.61 грн
3+ 133.89 грн
10+ 116.73 грн
12+ 91.47 грн
31+ 86.24 грн
100+ 82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19533Q5AT CSD19533Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Dimensions: 5x6mm
Case: VSONP8
Power dissipation: 96W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 27nC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+150.1 грн
5+ 123.94 грн
12+ 84.5 грн
25+ 83.63 грн
33+ 79.27 грн
250+ 76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19534KCS CSD19534KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.39 грн
10+ 89.56 грн
15+ 70.56 грн
40+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19534Q5A CSD19534Q5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+57.17 грн
24+ 42.69 грн
66+ 40.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19535KCS CSD19535KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+289.89 грн
3+ 251.49 грн
6+ 183.81 грн
16+ 173.36 грн
50+ 169 грн
CSD19535KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19535KTTT CSD19535KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.98 грн
3+ 289.49 грн
5+ 225.63 грн
13+ 213.43 грн
50+ 203.85 грн
CSD19536KCS CSD19536KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+342.43 грн
5+ 256.92 грн
12+ 234.34 грн
100+ 224.75 грн
CSD19536KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19536KTTT CSD19536KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19537Q3T CSD19537Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.39 грн
5+ 95.89 грн
15+ 67.08 грн
41+ 63.59 грн
250+ 61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19538Q2T CSD19538Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Mounting: SMD
Dimensions: 2x2mm
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: WSON6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.45 грн
5+ 92.27 грн
17+ 60.98 грн
46+ 57.5 грн
250+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19538Q3AT CSD19538Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 23W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 723 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.74 грн
5+ 69.12 грн
21+ 48.17 грн
58+ 45.56 грн
250+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD22204WT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22204w Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -80A; 1.7W; DSBGA9
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -5A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Case: DSBGA9
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD22205LT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22205l Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -7.4A; Idm: -71A; 0.6W
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR4
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: -71A
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -7.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD22206WT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22206w Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -108A; 1.7W; DSBGA9
Mounting: SMD
Case: DSBGA9
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: -108A
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23202W10T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4
Power dissipation: 1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DSBGA4
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 123mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: NexFET™
Pulsed drain current: -25A
Gate-source voltage: ±6V
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
CSD23203WT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23203w Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; Idm: -54A; 0.75W; DSBGA6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -54A
Mounting: SMD
Case: DSBGA6
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23280F3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23280f3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; 2.9A; Idm: 11.4A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.399Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 11.4A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23285F5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23285f5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.4A; Idm: -31A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.4A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -31A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23381F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.3A; Idm: -9A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -9A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23382F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.5A; Idm: -22A; 500mW
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.199Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -22A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25202W15T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -38A; 0.5W; DSBGA9
Case: DSBGA9
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -38A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25304W1015T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25304w1015 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -41A; 0.75W; DSBGA6
Mounting: SMD
Case: DSBGA6
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 92mΩ
Pulsed drain current: -41A
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25310Q2 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2 CSD25310Q2 SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25310Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2 CSD25310Q2T SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25402Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25402q3a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -148A; 69W; VSONP8
Case: VSONP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Technology: NexFET™
Pulsed drain current: -148A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25404Q3T CSD25404Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 5.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 10.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.51 грн
5+ 86.85 грн
16+ 63.59 грн
44+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD25480F3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25480f3 CSD25480F3T SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25481F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25481f4 CSD25481F4T SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25483F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25483f4 CSD25483F4T SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25484F4T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25484f4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -22A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 825mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -22A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25485F5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25485f5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -31A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -31A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25501F3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25501f3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -13.6A; 500mW
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
On-state resistance: 0.26Ω
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -3.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD75208W1015T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -22A; 0.75W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 0.75W
Case: DSBGA6
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common source
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD85301Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 26A; 2.3W; WSON6
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 26A
Case: WSON6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD85302LT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 1.7W
Case: PICOSTAR4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD87335Q3DT CSD87335Q3DT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87335q3d Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 25A; 1.5W; LSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Case: LSON-CLIP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Dimensions: 3.3x3.3mm
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 5.7/10.7nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 25A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD87502Q2T CSD87502Q2T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87502q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.3W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 2x2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.15 грн
5+ 94.08 грн
17+ 60.11 грн
47+ 56.62 грн
250+ 54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD88537NDT CSD88537NDT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.26 грн
5+ 82.32 грн
17+ 60.11 грн
47+ 56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD88539NDT CSD88539NDT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.2nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 901 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.53 грн
25+ 41.9 грн
68+ 39.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
DAC0800LCM/NOPB DAC0800LCM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 4.5÷18V; SO16
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SO16
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...18V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.03 грн
3+ 201.74 грн
7+ 155.93 грн
19+ 147.22 грн
48+ 142 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC0800LCN/NOPB TEXAS INSTRUMENTS snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Number of channels: 1
Case: PDIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Interface: parallel
Sampling speed: 6.6Msps
Relative accuracy: 1LSB
Converter resolution: 8bit
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DAC0802LCMX/NOPB TEXAS INSTRUMENTS snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Interface: parallel
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DAC0808LCM/NOPB DAC0808LCM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac0808 description Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; 4.5÷18V; SOP16
Type of integrated circuit: D/A converter
Interface: parallel
Case: SOP16
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...18V
Relative accuracy: 0.5LSB
Converter resolution: 8bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.12 грн
3+ 218.92 грн
7+ 155.93 грн
18+ 147.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC0808LCMX/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac0808 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Interface: parallel
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DAC0808LCN/NOPB DAC0808LCN/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac0808 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; 4.5÷18V; DIP16
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Number of channels: 1
Case: DIP16
Mounting: THT
Interface: parallel
Relative accuracy: 0.5LSB
Operating voltage: 4.5...18V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.61 грн
5+ 220.73 грн
7+ 149.84 грн
19+ 141.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC081C081CIMK/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081c081 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: I2C
Operating temperature: -40...125°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.6LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.86 грн
5+ 132.98 грн
16+ 67.08 грн
42+ 63.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC081C081CIMKX/NOPB TEXAS INSTRUMENTS dac081c081.pdf Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: I2C
Operating temperature: -40...125°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.6LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DAC081C081CISD/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081c081 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; WSON6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Interface: I2C
Case: WSON6
Number of channels: 1
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Max INL: ±0.6LSB
Max DNL: ±0.1LSB
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
DAC081C085CIMM/NOPB DAC081C085CIMM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081c081 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; 2.7÷5.5V; MSOP8
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Number of channels: 1
Case: MSOP8
Mounting: SMD
Interface: I2C
Integrated circuit features: micropower
Relative accuracy: 0.6LSB
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAC081C085CIMMX/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081c081 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; VSSOP8; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Case: VSSOP8
Mounting: SMD
Interface: I2C
Operating temperature: -40...125°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.6LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.59 грн
5+ 110.37 грн
18+ 56.62 грн
50+ 53.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
DAC081S101CIMK/NOPB DAC081S101CIMK/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081s101 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 1.8Msps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 1.8Msps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.75LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+149.17 грн
5+ 128.46 грн
15+ 69.69 грн
41+ 66.21 грн
2000+ 63.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC081S101CIMKX/NOPB DAC081S101CIMKX/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081s101 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 1.8Msps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 1.8Msps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.75LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.84 грн
5+ 107.65 грн
18+ 58.37 грн
49+ 54.88 грн
3000+ 52.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
DAC081S101CIMM/NOPB DAC081S101CIMM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081s101 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 1.8Msps; Ch: 1; VSSOP8; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 1.8Msps
Number of channels: 1
Case: VSSOP8
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.75LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+149.17 грн
5+ 128.46 грн
15+ 69.69 грн
41+ 66.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC081S101CIMMX/NOPB TEXAS INSTRUMENTS NATLS09815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081s101 Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 1.8Msps; Ch: 1; VSSOP8; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 1.8Msps
Number of channels: 1
Case: VSSOP8
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.75LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 3500 шт
товар відсутній
DAC082S085CIMM/NOPB TEXAS INSTRUMENTS snas365g.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 2.5Msps; Ch: 2; VSSOP10; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 2.5Msps
Number of channels: 2
Case: VSSOP10
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.18LSB
Max INL: ±0.5LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
CSD19532KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532ktt
CSD19532KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.47 грн
3+ 194.5 грн
7+ 144.61 грн
20+ 136.77 грн
50+ 129.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19532Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19532q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19533KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533kcs
CSD19533KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Kind of package: tube
Gate charge: 27nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.61 грн
3+ 133.89 грн
10+ 116.73 грн
12+ 91.47 грн
31+ 86.24 грн
100+ 82.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19533Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19533q5a
CSD19533Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Dimensions: 5x6mm
Case: VSONP8
Power dissipation: 96W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 27nC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.1 грн
5+ 123.94 грн
12+ 84.5 грн
25+ 83.63 грн
33+ 79.27 грн
250+ 76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19534KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534kcs
CSD19534KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 118W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.39 грн
10+ 89.56 грн
15+ 70.56 грн
40+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19534Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5A
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.17 грн
24+ 42.69 грн
66+ 40.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD19534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a
CSD19534Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19535KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535kcs
CSD19535KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+289.89 грн
3+ 251.49 грн
6+ 183.81 грн
16+ 173.36 грн
50+ 169 грн
CSD19535KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19535KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19535ktt
CSD19535KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.98 грн
3+ 289.49 грн
5+ 225.63 грн
13+ 213.43 грн
50+ 203.85 грн
CSD19536KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536kcs
CSD19536KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 375W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 118nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+342.43 грн
5+ 256.92 грн
12+ 234.34 грн
100+ 224.75 грн
CSD19536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19536KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19536ktt
CSD19536KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19537Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19537q3
CSD19537Q3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 83W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.39 грн
5+ 95.89 грн
15+ 67.08 грн
41+ 63.59 грн
250+ 61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19538Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q2
CSD19538Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 20.2W; WSON6; 2x2mm
Mounting: SMD
Dimensions: 2x2mm
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: WSON6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
On-state resistance: 49mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.2W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.45 грн
5+ 92.27 грн
17+ 60.98 грн
46+ 57.5 грн
250+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19538Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19538q3a
CSD19538Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 23W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 723 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.74 грн
5+ 69.12 грн
21+ 48.17 грн
58+ 45.56 грн
250+ 43.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD22204WT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22204w
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -80A; 1.7W; DSBGA9
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -5A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Case: DSBGA9
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD22205LT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22205l
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -7.4A; Idm: -71A; 0.6W
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR4
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: -71A
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -7.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD22206WT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd22206w
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -5A; Idm: -108A; 1.7W; DSBGA9
Mounting: SMD
Case: DSBGA9
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -8V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: -108A
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23202W10T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23202w10
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4
Power dissipation: 1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: DSBGA4
Drain current: -2.2A
On-state resistance: 123mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Technology: NexFET™
Pulsed drain current: -25A
Gate-source voltage: ±6V
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -12V
товар відсутній
CSD23203WT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23203w
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; Idm: -54A; 0.75W; DSBGA6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -54A
Mounting: SMD
Case: DSBGA6
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23280F3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23280f3
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; 2.9A; Idm: 11.4A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.399Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 11.4A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23285F5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23285f5
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.4A; Idm: -31A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.4A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -31A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23381F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23381f4
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.3A; Idm: -9A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.97Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -9A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD23382F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd23382f4
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.5A; Idm: -22A; 500mW
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 0.199Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -22A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25202W15T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25202w15
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -38A; 0.5W; DSBGA9
Case: DSBGA9
Mounting: SMD
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -38A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25304W1015T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25304w1015
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -41A; 0.75W; DSBGA6
Mounting: SMD
Case: DSBGA6
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 92mΩ
Pulsed drain current: -41A
Power dissipation: 0.75W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25310Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25310Q2 SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25310Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25310Q2T SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25402Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25402q3a
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -148A; 69W; VSONP8
Case: VSONP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Technology: NexFET™
Pulsed drain current: -148A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25404Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25404q3
CSD25404Q3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -60A; 96W; VSON-CLIP8
Case: VSON-CLIP8
Mounting: SMD
On-state resistance: 5.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 10.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.51 грн
5+ 86.85 грн
16+ 63.59 грн
44+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD25480F3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25480f3
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25480F3T SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25481F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25481f4
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25481F4T SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25483F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25483f4
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
CSD25483F4T SMD P channel transistors
товар відсутній
CSD25484F4T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25484f4
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -22A; 500mW
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 825mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -22A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25485F5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25485f5
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -31A; 1.4W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -31A
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD25501F3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25501f3
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.6A; Idm: -13.6A; 500mW
Mounting: SMD
Case: PICOSTAR3
On-state resistance: 0.26Ω
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Drain current: -3.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD75208W1015T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd75208w1015
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -22A; 0.75W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 0.75W
Case: DSBGA6
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common source
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD85301Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85301q2
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 26A; 2.3W; WSON6
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 26A
Case: WSON6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD85302LT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd85302l
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 1.7W
Case: PICOSTAR4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD87335Q3DT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87335q3d
CSD87335Q3DT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 25A; 1.5W; LSON-CLIP8
Technology: NexFET™
Case: LSON-CLIP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.5W
Dimensions: 3.3x3.3mm
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Gate charge: 5.7/10.7nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain current: 25A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD87502Q2T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd87502q2
CSD87502Q2T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.3W
Case: WSON6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 2x2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.15 грн
5+ 94.08 грн
17+ 60.11 грн
47+ 56.62 грн
250+ 54.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD88537NDT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88537nd
CSD88537NDT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.26 грн
5+ 82.32 грн
17+ 60.11 грн
47+ 56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD88539NDT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd88539nd
CSD88539NDT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.2nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 901 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.53 грн
25+ 41.9 грн
68+ 39.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
DAC0800LCM/NOPB snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw
DAC0800LCM/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 4.5÷18V; SO16
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Case: SO16
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...18V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.03 грн
3+ 201.74 грн
7+ 155.93 грн
19+ 147.22 грн
48+ 142 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC0800LCN/NOPB snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; PDIP16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Number of channels: 1
Case: PDIP16
Mounting: THT
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Interface: parallel
Sampling speed: 6.6Msps
Relative accuracy: 1LSB
Converter resolution: 8bit
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DAC0802LCMX/NOPB snas538c.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Interface: parallel
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DAC0808LCM/NOPB description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac0808
DAC0808LCM/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; 4.5÷18V; SOP16
Type of integrated circuit: D/A converter
Interface: parallel
Case: SOP16
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...18V
Relative accuracy: 0.5LSB
Converter resolution: 8bit
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.12 грн
3+ 218.92 грн
7+ 155.93 грн
18+ 147.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC0808LCMX/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac0808
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 6.6Msps; Ch: 1; SOIC16; 0÷70°C; 4.5÷18VDC
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 6.6Msps
Number of channels: 1
Case: SOIC16
Mounting: SMD
Interface: parallel
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 4.5...18V DC
Integrated circuit features: multiplying
Relative accuracy: 1LSB
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DAC0808LCN/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac0808
DAC0808LCN/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; 4.5÷18V; DIP16
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Number of channels: 1
Case: DIP16
Mounting: THT
Interface: parallel
Relative accuracy: 0.5LSB
Operating voltage: 4.5...18V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.61 грн
5+ 220.73 грн
7+ 149.84 грн
19+ 141.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC081C081CIMK/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081c081
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: I2C
Operating temperature: -40...125°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.6LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.86 грн
5+ 132.98 грн
16+ 67.08 грн
42+ 63.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC081C081CIMKX/NOPB dac081c081.pdf
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: I2C
Operating temperature: -40...125°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.6LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DAC081C081CISD/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081c081
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; WSON6; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Interface: I2C
Case: WSON6
Number of channels: 1
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Max INL: ±0.6LSB
Max DNL: ±0.1LSB
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
DAC081C085CIMM/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081c081
DAC081C085CIMM/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; Ch: 1; 2.7÷5.5V; MSOP8
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Number of channels: 1
Case: MSOP8
Mounting: SMD
Interface: I2C
Integrated circuit features: micropower
Relative accuracy: 0.6LSB
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DAC081C085CIMMX/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081c081
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 180ksps; Ch: 1; VSSOP8; -40÷125°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 180ksps
Number of channels: 1
Case: VSSOP8
Mounting: SMD
Interface: I2C
Operating temperature: -40...125°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.6LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.59 грн
5+ 110.37 грн
18+ 56.62 грн
50+ 53.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
DAC081S101CIMK/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081s101
DAC081S101CIMK/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 1.8Msps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 1.8Msps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.75LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+149.17 грн
5+ 128.46 грн
15+ 69.69 грн
41+ 66.21 грн
2000+ 63.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC081S101CIMKX/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081s101
DAC081S101CIMKX/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 1.8Msps; Ch: 1; SOT23-THN-6; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 1.8Msps
Number of channels: 1
Case: SOT23-THN-6
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.75LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.84 грн
5+ 107.65 грн
18+ 58.37 грн
49+ 54.88 грн
3000+ 52.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
DAC081S101CIMM/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081s101
DAC081S101CIMM/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 1.8Msps; Ch: 1; VSSOP8; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 1.8Msps
Number of channels: 1
Case: VSSOP8
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.75LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+149.17 грн
5+ 128.46 грн
15+ 69.69 грн
41+ 66.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAC081S101CIMMX/NOPB NATLS09815-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fdac081s101
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 1.8Msps; Ch: 1; VSSOP8; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 1.8Msps
Number of channels: 1
Case: VSSOP8
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.1LSB
Max INL: ±0.75LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 3500 шт
товар відсутній
DAC082S085CIMM/NOPB snas365g.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: D/A converters - integrated circuits
Description: IC: D/A converter; 8bit; 2.5Msps; Ch: 2; VSSOP10; -40÷105°C
Type of integrated circuit: D/A converter
Converter resolution: 8bit
Sampling speed: 2.5Msps
Number of channels: 2
Case: VSSOP10
Mounting: SMD
Interface: SPI
Operating temperature: -40...105°C
Max DNL: ±0.18LSB
Max INL: ±0.5LSB
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Integrated circuit features: rail-to-rail
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 983 1966 2949 3932 4830 4831 4832 4833 4834 4835 4836 4837 4838 4839 4840 4915 5898 6881 7864 8847 9830 9835  [ Наступна Сторінка >> ]