Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > Всі товари виробника TEXAS INSTRUMENTS (590042) > Сторінка 4834 з 9835

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 983 1966 2949 3932 4829 4830 4831 4832 4833 4834 4835 4836 4837 4838 4839 4915 5898 6881 7864 8847 9830 9835  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CSD17571Q2 TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17571q2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17573Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17573q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17575Q3T CSD17575Q3T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Dimensions: 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.46 грн
5+ 96.8 грн
15+ 71.43 грн
40+ 67.08 грн
100+ 64.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17576Q5BT CSD17576Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.33 грн
5+ 94.99 грн
14+ 77.53 грн
37+ 73.18 грн
100+ 70.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17577Q3AT CSD17577Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17577q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.33 грн
5+ 94.99 грн
16+ 66.21 грн
43+ 62.72 грн
250+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17578Q3AT CSD17578Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 7.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.39 грн
5+ 87.75 грн
17+ 60.98 грн
47+ 57.5 грн
250+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.39 грн
5+ 94.08 грн
14+ 74.05 грн
39+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17581Q3AT CSD17581Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17581q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.99 грн
5+ 55.18 грн
23+ 46.17 грн
61+ 43.64 грн
100+ 42.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17585F5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17585f5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; Idm: 34A; 1.4W; PICOSTAR3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 1.4W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18502KCS CSD18502KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 259W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.26 грн
3+ 167.36 грн
8+ 130.67 грн
22+ 122.83 грн
50+ 118.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18502Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18503Q5AT CSD18503Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18503q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 886 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+97.57 грн
5+ 85.94 грн
16+ 63.59 грн
44+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18504KCS CSD18504KCS TEXAS INSTRUMENTS slps365 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.77 грн
5+ 99.51 грн
13+ 78.4 грн
36+ 74.05 грн
100+ 73.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18504Q5AT CSD18504Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18504q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 77W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18509Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18510KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18510KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18510KTTT CSD18510KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.33 грн
7+ 160.12 грн
18+ 146.35 грн
250+ 140.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18510Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18511KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18511KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18511KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18511Q5AT CSD18511Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18512Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 139W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18514Q5AT CSD18514Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 74W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+147.29 грн
5+ 106.75 грн
13+ 79.27 грн
36+ 74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18531Q5A CSD18531Q5A TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.4 грн
5+ 113.08 грн
13+ 82.76 грн
34+ 78.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18531Q5AT CSD18531Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18532KCS CSD18532KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.11 грн
3+ 142.93 грн
10+ 105.41 грн
27+ 99.31 грн
50+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18532NQ5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532nq5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 49nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18532Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18533KCS CSD18533KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 192W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 28nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.89 грн
10+ 101.05 грн
13+ 80.14 грн
35+ 75.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18533Q5AT CSD18533Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.71 грн
5+ 106.75 грн
13+ 84.5 грн
34+ 80.14 грн
100+ 76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18534KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18534Q5AT CSD18534Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Dimensions: 5x6mm
Case: VSONP8
Power dissipation: 77W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 17nC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.68 грн
5+ 142.03 грн
11+ 96.7 грн
29+ 91.47 грн
250+ 89.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18535KCS CSD18535KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.55 грн
3+ 223.45 грн
7+ 169 грн
17+ 159.42 грн
50+ 152.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18535KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18535KTTT CSD18535KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18536KCS CSD18536KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+392.15 грн
3+ 360.95 грн
4+ 267.44 грн
11+ 252.63 грн
50+ 242.18 грн
CSD18536KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18536KTTT CSD18536KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+472.83 грн
4+ 324.77 грн
9+ 295.32 грн
100+ 283.99 грн
CSD18537NKCS CSD18537NKCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Gate charge: 14nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.76 грн
5+ 85.94 грн
17+ 60.11 грн
46+ 56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm
Case: VSONP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 14nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.22 грн
5+ 111.27 грн
13+ 78.4 грн
36+ 74.05 грн
250+ 71.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18540Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18540q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18541F5T TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18541f5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 21A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18542KCS CSD18542KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.94 грн
3+ 159.22 грн
9+ 118.48 грн
24+ 112.38 грн
50+ 108.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18542KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18542KTTT CSD18542KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.66 грн
3+ 200.83 грн
8+ 141.12 грн
20+ 133.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18543Q3AT CSD18543Q3AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18543q3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 66W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.52 грн
5+ 99.51 грн
15+ 68.82 грн
40+ 65.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18563Q5AT CSD18563Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18563q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 116W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 15nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 5.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.84 грн
5+ 104.94 грн
14+ 78.4 грн
37+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19501KCS CSD19501KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19501kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Technology: NexFET™
Case: TO220-3
Mounting: THT
On-state resistance: 5.5mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19502Q5BT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19502q5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 48nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19503KCS CSD19503KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19503kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.84 грн
10+ 90.6 грн
13+ 78.4 грн
36+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19505KCS CSD19505KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.21 грн
3+ 183.64 грн
8+ 141.12 грн
20+ 134.16 грн
250+ 130.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19505KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19505KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19506KCS CSD19506KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+440.93 грн
3+ 394.43 грн
4+ 297.93 грн
10+ 281.38 грн
50+ 270.92 грн
CSD19506KTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19506KTTT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506ktt Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19531KCS CSD19531KCS TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531kcs Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182 грн
3+ 157.41 грн
9+ 114.99 грн
25+ 108.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19531Q5AT CSD19531Q5AT TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.19 грн
10+ 112.18 грн
27+ 101.92 грн
250+ 98.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD17571Q2 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17571q2
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.6A; 2.5W; WSON6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: WSON6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17573Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17573q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD17575Q3T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17575q3
CSD17575Q3T
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8
Dimensions: 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 108W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.46 грн
5+ 96.8 грн
15+ 71.43 грн
40+ 67.08 грн
100+ 64.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17576Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17576q5b
CSD17576Q5BT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSON-CLIP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.33 грн
5+ 94.99 грн
14+ 77.53 грн
37+ 73.18 грн
100+ 70.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17577Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17577q3a
CSD17577Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.33 грн
5+ 94.99 грн
16+ 66.21 грн
43+ 62.72 грн
250+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17578Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17578q3a
CSD17578Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Mounting: SMD
Power dissipation: 37W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 3.3x3.3mm
Gate charge: 7.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: NexFET™
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.39 грн
5+ 87.75 грн
17+ 60.98 грн
47+ 57.5 грн
250+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17579Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a
CSD17579Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.39 грн
5+ 94.08 грн
14+ 74.05 грн
39+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17581Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17581q3a
CSD17581Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Power dissipation: 63W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.99 грн
5+ 55.18 грн
23+ 46.17 грн
61+ 43.64 грн
100+ 42.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
CSD17585F5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17585f5
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.9A; Idm: 34A; 1.4W; PICOSTAR3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 1.4W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18502KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502kcs
CSD18502KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 259W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 259W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.26 грн
3+ 167.36 грн
8+ 130.67 грн
22+ 122.83 грн
50+ 118.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18502Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18502q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18503Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18503q5a
CSD18503Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 120W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 886 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.57 грн
5+ 85.94 грн
16+ 63.59 грн
44+ 60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18504KCS slps365
CSD18504KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.77 грн
5+ 99.51 грн
13+ 78.4 грн
36+ 74.05 грн
100+ 73.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18504Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18504q5a
CSD18504Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 77W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18509Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18509q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 195W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18510KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510kcs
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18510KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18510KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510ktt
CSD18510KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 119nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.33 грн
7+ 160.12 грн
18+ 146.35 грн
250+ 140.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18510Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.79mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18511KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511kcs
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18511KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18511KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 188W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18511Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511q5a
CSD18511Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 104W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18512Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18512q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 139W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18514Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18514q5a
CSD18514Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 74W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+147.29 грн
5+ 106.75 грн
13+ 79.27 грн
36+ 74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18531Q5A suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a
CSD18531Q5A
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.4 грн
5+ 113.08 грн
13+ 82.76 грн
34+ 78.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18531Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18531q5a
CSD18531Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18532KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532kcs
CSD18532KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.11 грн
3+ 142.93 грн
10+ 105.41 грн
27+ 99.31 грн
50+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18532NQ5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532nq5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 49nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18532Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 44nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18533KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533kcs
CSD18533KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 192W; TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 28nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.89 грн
10+ 101.05 грн
13+ 80.14 грн
35+ 75.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18533Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18533q5a
CSD18533Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 116W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.71 грн
5+ 106.75 грн
13+ 84.5 грн
34+ 80.14 грн
100+ 76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18534KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534kcs
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 164A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 164A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18534Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18534q5a
CSD18534Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 77W; VSONP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Dimensions: 5x6mm
Case: VSONP8
Power dissipation: 77W
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 17nC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.68 грн
5+ 142.03 грн
11+ 96.7 грн
29+ 91.47 грн
250+ 89.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18535KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535kcs
CSD18535KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.55 грн
3+ 223.45 грн
7+ 169 грн
17+ 159.42 грн
50+ 152.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18535KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18535KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18535ktt
CSD18535KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18536KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536kcs
CSD18536KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 375W; TO220-3
Kind of package: tube
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.15 грн
3+ 360.95 грн
4+ 267.44 грн
11+ 252.63 грн
50+ 242.18 грн
CSD18536KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18536KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18536ktt
CSD18536KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 108nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+472.83 грн
4+ 324.77 грн
9+ 295.32 грн
100+ 283.99 грн
CSD18537NKCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nkcs
CSD18537NKCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1.14÷1.4mm
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Gate charge: 14nC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.76 грн
5+ 85.94 грн
17+ 60.11 грн
46+ 56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18537NQ5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18537nq5a
CSD18537NQ5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 75W; VSONP8; 5x6mm
Case: VSONP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 14nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.22 грн
5+ 111.27 грн
13+ 78.4 грн
36+ 74.05 грн
250+ 71.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18540Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18540q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 188W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: VSON-CLIP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18541F5T suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18541f5
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.2A; Idm: 21A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 0.5W
Case: PICOSTAR3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18542KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542kcs
CSD18542KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.94 грн
3+ 159.22 грн
9+ 118.48 грн
24+ 112.38 грн
50+ 108.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18542KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD18542KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18542ktt
CSD18542KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.66 грн
3+ 200.83 грн
8+ 141.12 грн
20+ 133.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD18543Q3AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18543q3a
CSD18543Q3AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 66W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 3.3x3.3mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.52 грн
5+ 99.51 грн
15+ 68.82 грн
40+ 65.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD18563Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18563q5a
CSD18563Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 116W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 15nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: VSONP8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 5.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.84 грн
5+ 104.94 грн
14+ 78.4 грн
37+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19501KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19501kcs
CSD19501KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3
Technology: NexFET™
Case: TO220-3
Mounting: THT
On-state resistance: 5.5mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19502Q5BT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19502q5b
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 195W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Dimensions: 5x6mm
Gate charge: 48nC
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: VSON-CLIP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19503KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19503kcs
CSD19503KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.84 грн
10+ 90.6 грн
13+ 78.4 грн
36+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD19505KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505kcs
CSD19505KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.21 грн
3+ 183.64 грн
8+ 141.12 грн
20+ 134.16 грн
250+ 130.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19505KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19505KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19505ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19506KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506kcs
CSD19506KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
Technology: NexFET™
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.93 грн
3+ 394.43 грн
4+ 297.93 грн
10+ 281.38 грн
50+ 270.92 грн
CSD19506KTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19506KTTT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19506ktt
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: NexFET™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CSD19531KCS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531kcs
CSD19531KCS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182 грн
3+ 157.41 грн
9+ 114.99 грн
25+ 108.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
CSD19531Q5AT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19531q5a
CSD19531Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.19 грн
10+ 112.18 грн
27+ 101.92 грн
250+ 98.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 983 1966 2949 3932 4829 4830 4831 4832 4833 4834 4835 4836 4837 4838 4839 4915 5898 6881 7864 8847 9830 9835  [ Наступна Сторінка >> ]