CSD23202W10T TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DSBGA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 19.47 грн |
| 500+ | 15.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23202W10T TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DSBGA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції CSD23202W10T за ціною від 15.46 грн до 68.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD23202W10T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET P-CH 12V 2.2A 4-Pin DSBGA T/R |
на замовлення 32250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD23202W10T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23202W10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.2 A, 0.044 ohm, DSBGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DSBGA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD23202W10T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V |
на замовлення 15500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD23202W10T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 12V PCH NexFET |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD23202W10T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 6 V |
на замовлення 15659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| CSD23202W10T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4 Power dissipation: 1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DSBGA4 Drain current: -2.2A On-state resistance: 123mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: NexFET™ Pulsed drain current: -25A Gate-source voltage: ±6V Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -12V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| CSD23202W10T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4 Power dissipation: 1W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: DSBGA4 Drain current: -2.2A On-state resistance: 123mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Technology: NexFET™ Pulsed drain current: -25A Gate-source voltage: ±6V Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -12V |
товар відсутній |