![CSD25402Q3AT CSD25402Q3AT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2101/296%3B8VSONP-.90-3x3.15%3BDNH%3B8.jpg)
CSD25402Q3AT Texas Instruments
![suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25402q3a](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 34.5 грн |
500+ | 28.43 грн |
1250+ | 28.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD25402Q3AT Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V.
Інші пропозиції CSD25402Q3AT за ціною від 28.4 грн до 59.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD25402Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
CSD25402Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
CSD25402Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 10 V |
на замовлення 8142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
CSD25402Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 12552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
CSD25402Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
CSD25402Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
CSD25402Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -148A; 69W; VSONP8 Case: VSONP8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.3Ω Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: NexFET™ Pulsed drain current: -148A Drain-source voltage: -20V Drain current: -35A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
CSD25402Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; Idm: -148A; 69W; VSONP8 Case: VSONP8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.3Ω Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Technology: NexFET™ Pulsed drain current: -148A Drain-source voltage: -20V Drain current: -35A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
товар відсутній |