CSD25310Q2

CSD25310Q2 Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2 Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.86 грн
6000+ 12.67 грн
9000+ 11.76 грн
30000+ 10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD25310Q2 Texas Instruments

Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V.

Інші пропозиції CSD25310Q2 за ціною від 8.78 грн до 42.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD25310Q2 CSD25310Q2 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2 Description: MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
на замовлення 45716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.46 грн
10+ 33.83 грн
100+ 23.52 грн
500+ 17.24 грн
1000+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD25310Q2 CSD25310Q2 Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2 MOSFET 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET
на замовлення 16993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.36 грн
10+ 34.86 грн
100+ 16.66 грн
1000+ 12.2 грн
3000+ 10.94 грн
9000+ 9.76 грн
24000+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
CSD25310Q2 Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd25310q2 CSD25310Q2 SMD P channel transistors
товар відсутній