CSD87502Q2T Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 53.81 грн |
| 500+ | 45.79 грн |
| 1250+ | 36.15 грн |
| 2500+ | 31.67 грн |
| 6250+ | 30.08 грн |
| 12500+ | 28.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD87502Q2T Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WSON (2x2), Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD87502Q2T за ціною від 30.25 грн до 119.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SON 2 mm x 2, 42 mOhm, gate ESD protection 6-WSON -55 to 150 |
на замовлення 7289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 353pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WSON (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 13079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD87502Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 2.3W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 2x2mm |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD87502Q2T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.3W; WSON6; 2x2mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 2.3W Case: WSON6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 2x2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD87502Q2T | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WSON EP T/R |
товар відсутній |