CSD23280F3T Texas Instruments
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 26.59 грн |
| 750+ | 24.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD23280F3T Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: LGA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FemtoFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD23280F3T за ціною від 18.9 грн до 77.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD23280F3T | Виробник : Texas Instruments |
 Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTARPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V |
на замовлення 22250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD23280F3T | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 6 V |
на замовлення 22444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD23280F3T | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150 |
на замовлення 3461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CSD23280F3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
CSD23280F3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD23280F3T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 1.8 A, 0.097 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FemtoFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.097ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| CSD23280F3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; 2.9A; Idm: 11.4A; 1.4W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -12V Drain current: 2.9A On-state resistance: 0.399Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 11.4A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| CSD23280F3T | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; 2.9A; Idm: 11.4A; 1.4W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -12V Drain current: 2.9A On-state resistance: 0.399Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 11.4A Mounting: SMD Case: PICOSTAR3 |
товар відсутній |