![CSD19534Q5A CSD19534Q5A](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2453/8-Power%20TDFN.jpg)
CSD19534Q5A Texas Instruments
![suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd19534q5a](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 29.22 грн |
5000+ | 26.8 грн |
12500+ | 25.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19534Q5A Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19534Q5A за ціною від 25.45 грн до 77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 155000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Case: VSONP8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.6mΩ Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Dimensions: 5x6mm Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Case: VSONP8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.6mΩ Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Dimensions: 5x6mm Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V |
на замовлення 13158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 17621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD19534Q5A | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |