![CSD19536KCS CSD19536KCS](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/bc50f4c1dfa21b55c84aed777cc1672313a18861/kcs0003b.jpg)
CSD19536KCS Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 168.64 грн |
100+ | 160.66 грн |
250+ | 159.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19536KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19536KCS за ціною від 139.87 грн до 344.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19536KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT On-state resistance: 2.3mΩ Kind of package: tube Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 118nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V |
на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD19536KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT On-state resistance: 2.3mΩ Kind of package: tube Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 118nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
CSD19536KCS Код товару: 171204 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD19536KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |