CSD88539NDT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 30.12 грн |
| 500+ | 24.83 грн |
| 1250+ | 24.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD88539NDT Texas Instruments
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції CSD88539NDT за ціною від 24.53 грн до 72.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD88539NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.2nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88539NDT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.2nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A On-state resistance: 23mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 901 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 11459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD88539NDT | Виробник : Texas Instruments |
High Frequency Synchronous Power Module |
товар відсутній |