CSD19538Q3AT Texas Instruments
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 49.57 грн |
| 500+ | 42.98 грн |
| 1000+ | 37.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD19538Q3AT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V.
Інші пропозиції CSD19538Q3AT за ціною від 31.21 грн до 85.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD19538Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19538Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19538Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V |
на замовлення 4250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19538Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm Case: VSONP8 Mounting: SMD On-state resistance: 49mΩ Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 23W Polarisation: unipolar Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD19538Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm 8-VSONP -55 to 150 |
на замовлення 29804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19538Q3AT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8; 3.3x3.3mm Case: VSONP8 Mounting: SMD On-state resistance: 49mΩ Kind of package: reel; tape Technology: NexFET™ Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 23W Polarisation: unipolar Dimensions: 3.3x3.3mm Gate charge: 4.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 713 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19538Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 50 V |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD19538Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
CSD19538Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD19538Q3AT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R |
товар відсутній |