Продукція > MJE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJE10006G
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE101
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE102
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE103
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE104
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE105MotorolaDescription: TRANSISTOR
товару немає в наявності
MJE105
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE1090
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE1091
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE1092
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE1093
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE1100
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE1123
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE122
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE12955
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13001 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 25853		Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 831 шт:
778 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
6+3.5 грн
10+ 3.1 грн
100+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE13001-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13001-APMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 0.2A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
MJE13001-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13001-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13001S6D
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13001S8D
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13002
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13002 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 2694		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE13002-126
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13002-92
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13002-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13002-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
MJE13002-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13002-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13002A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13002B-APMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 0.8A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
MJE13002B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13002B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13002B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co.,LTD.Транзистор биполярный, NPN, 400В, 1,5А, 40Вт, TO-126
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MJE13003JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 30W; 400V; 2,3A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 JSMICRO TMJE13003 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJE13003ON0419
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003 TMJE13003
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJE13003onsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
товару немає в наявності
MJE13003onsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
MJE13003OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13003G; MJE13003A-BP; KSE13003AS; ST13003; MJE13003L-B-T60-K; MJE13003 OTOMO TMJE13003 OTO
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 200
MJE13003 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 18858		Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 1,5 A
товару немає в наявності
1+20 грн
MJE13003(ST13003)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003-1
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003-12
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003-126
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003-2FSC
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE13003-BPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
товару немає в наявності
MJE13003-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003-BP TO-220
Код товару: 115272		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE13003-C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE1300320-25AB
на замовлення 30200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003; биполярный; NPN; 300V; 1.5A; 40W; Корпус: TO-126; Fairchild
на замовлення 22 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
22+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 22
MJE13003A-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003A-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003A-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
MJE13003A-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003B-APMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
MJE13003B-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003B-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003B-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003D-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003D-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO251
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-251
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
MJE13003D-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003D-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13003GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1.5A 1400mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE13003G
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 400V
товару немає в наявності
MJE13003GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
MJE13003G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 34621		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE13003H22005
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003H22005
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003LUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJE13003L-CUTCNPN 1,5A 400V 40W 5MHz MJE13003L-C UTC TMJE13003 utc
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJE13003T
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003T2
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13003TO-126
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13004onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13004Harris CorporationDescription: TRANS NPN 300V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 592
MJE13004 LEDFREEDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13004 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
товару немає в наявності
MJE13004G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13005MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE13005 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.5 грн
10+ 183.12 грн
100+ 130.57 грн
500+ 76.89 грн
1000+ 50.36 грн
5000+ 44.02 грн
10000+ 39.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE13005STNPN 4A 400V 60W 4MHz ST13005A, PHE13005=MJE13005=ST13005 , TS13005CZC0 MJE13005 TMJE13005
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
MJE13005OTOMOTransistor NPN; 30; 2W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 OTOMO TMJE13005 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE13005STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13005
Код товару: 15180		Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 4 А
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 8 грн
100+ 6 грн
MJE13005ON SEMICONDUCTORnpn 400/700V 3A 60W TO-220
на замовлення 163 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE13005JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 30; 65W; 400V; 4A; 5MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13005G; MJE13005-BP; ST13005; PHE13005,127; TS13005CZ; MJE13005L-B-TA3-T; MJE13005 JSMICRO TMJE13005 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE13005onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
товару немає в наявності
MJE13005MulticompTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE13005onsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE13005Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13005 LEDFREEROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 2W; TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO220
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...60
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Fast SW
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.45 грн
10+ 192.62 грн
50+ 144.07 грн
100+ 124.91 грн
250+ 119.94 грн
500+ 117.1 грн
1000+ 107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE13005 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.48 грн
50+ 119.57 грн
100+ 109.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE13005 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 2W; TO220
Mounting: THT
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO220
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 10...60
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJE13005 SL PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE13005 SL PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 75W
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.45 грн
10+ 186.09 грн
50+ 136.97 грн
100+ 124.91 грн
250+ 117.81 грн
500+ 110.72 грн
1000+ 94.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE13005 SL TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
товару немає в наявності
MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Power Transistor
товару немає в наявності
MJE13005 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 400Vceo 700Vcev 9.0Vebo 4.0A 2.0W
товару немає в наявності
MJE13005(ST13005)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13005-1
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13005-2
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13005-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13005-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 4A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE13005; биполярный; NPN; 400V; 4A; 75W; TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+139.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE13005A
на замовлення 78500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13005B
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13005F-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 420V 4A ITO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE13005F1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13005F2
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13005GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 400V 75W NPN
товару немає в наявності
MJE13005GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE13005GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE13006
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13006NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 300V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.84 грн
10+ 112.37 грн
20+ 106.46 грн
50+ 94.36 грн
100+ 92.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE13006G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13007onsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE13007NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+216.25 грн
100+ 183.55 грн
Мінімальне замовлення: 57
MJE13007JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 40; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE13007Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13007On SemiconductorNPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MJE13007onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
товару немає в наявності
MJE13007STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
MJE13007 (MJE13007G) (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 38055		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 14 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 8 А
h21: 40
товару немає в наявності
MJE13007 SLCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE13007(PHE13007)
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13007-1
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13007-2
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13007-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13007-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT Regulator
товару немає в наявності
MJE13007-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 8A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE13007-BPDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13007-H4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13007ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
товару немає в наявності
MJE13007A
Код товару: 123836		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE13007Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13007F
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13007F-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13007F-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13007F-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 400V 8A ITO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE13007F-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13007F2
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13007F2 транзистор
Код товару: 58559		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+60.66 грн
250+ 58.06 грн
Мінімальне замовлення: 201
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+100.32 грн
10+ 82.91 грн
17+ 61.21 грн
47+ 57.66 грн
250+ 55.89 грн
500+ 55 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.84 грн
12+ 51.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE13007GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.44 грн
10+ 67.74 грн
100+ 46.49 грн
500+ 40.45 грн
1000+ 36.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE13007GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.95 грн
50+ 53.48 грн
100+ 48.36 грн
500+ 36.79 грн
1000+ 33.98 грн
2000+ 31.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+84.93 грн
11+ 59.14 грн
100+ 48.96 грн
500+ 41.09 грн
1000+ 31.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.11 грн
210+ 58.2 грн
500+ 49 грн
1000+ 41.02 грн
Мінімальне замовлення: 174
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE13007GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.67 грн
10+ 83.6 грн
100+ 61.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE13007GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.6 грн
10+ 66.54 грн
17+ 51.01 грн
47+ 48.05 грн
250+ 46.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE13007GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE13007R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13008G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009onsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товару немає в наявності
MJE13009Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE13009OTOMOTransistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE13009STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-220 NPN FASTSW PW
товару немає в наявності
MJE13009onsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE13009JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 40; 100W; 400V; 12A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 JSMICRO TMJE13009 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJE13009 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 30312		FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
товару немає в наявності
1+20 грн
MJE13009-1
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009-2
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+28.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
20+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
MJE13009A
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009AR
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009F
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009F (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 104845		Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
у наявності 141 шт:
141 шт - склад
1+30 грн
MJE13009G
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE13009GonsemiBipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN
товару немає в наявності
MJE13009GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE13009G (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 1141		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE13009H3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009H3(25-32)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13009L
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE1302
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13070Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE13070
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE13071Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+62.97 грн
Мінімальне замовлення: 325
MJE13071
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE1307DOTOMOTransistor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 OTOMO TMJE13007 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE1320
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15003ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15004ON/MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15028onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
товару немає в наявності
MJE15028onsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE15028Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE15028
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15028 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 126210		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+119.37 грн
10+ 90.43 грн
100+ 64.95 грн
500+ 46.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15028GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.81 грн
10+ 91.56 грн
100+ 68.23 грн
500+ 53.75 грн
1000+ 45.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+69.31 грн
250+ 63.4 грн
500+ 62.45 грн
1000+ 59.3 грн
Мінімальне замовлення: 176
MJE15028GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.31 грн
10+ 95.49 грн
100+ 58.62 грн
500+ 42.72 грн
1100+ 40.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MJE15028GonsemiDescription: TRANS NPN 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.03 грн
10+ 87.24 грн
100+ 59.02 грн
500+ 44.02 грн
1000+ 40.36 грн
2000+ 37.28 грн
5000+ 33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15028GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+128.55 грн
Мінімальне замовлення: 95
MJE15029onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
товару немає в наявності
MJE15029
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15029onsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE15029MulticompTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+126.08 грн
102+ 120.44 грн
Мінімальне замовлення: 97
MJE15029 (транзистори біполярніе PNP)
Код товару: 126212		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE15029GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.64 грн
3+ 138.19 грн
10+ 117.1 грн
11+ 101.13 грн
29+ 95.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15029GonsemiDescription: TRANS PNP 120V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 8678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.23 грн
10+ 121.17 грн
100+ 83.44 грн
500+ 63.12 грн
1000+ 58.23 грн
2000+ 54.12 грн
5000+ 51.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE15029GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15029GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.89 грн
10+ 97.59 грн
11+ 84.28 грн
29+ 79.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15029GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.04 грн
10+ 73.86 грн
100+ 60.68 грн
250+ 60.61 грн
500+ 57.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15029GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.01 грн
11+ 78.42 грн
100+ 70.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE15030onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
товару немає в наявності
MJE15030MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.57 грн
10+ 152.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15030CDILNPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.1 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE15030onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE15030MulticompTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+97.13 грн
145+ 83.98 грн
Мінімальне замовлення: 126
MJE15030
Код товару: 196969		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
у наявності 87 шт:
87 шт - склад
1+28 грн
10+ 25.2 грн
100+ 22.5 грн
MJE15030ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
MJE15030 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 36906		IscsemiТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 150 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 8 А
h21: 30
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.5 грн
10+ 24.8 грн
MJE15030G
Код товару: 180441		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE15030GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.18 грн
10+ 97.13 грн
100+ 72.05 грн
500+ 45.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+74.02 грн
182+ 67.18 грн
500+ 54.9 грн
700+ 45.24 грн
Мінімальне замовлення: 165
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJE15030GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15030GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+119.55 грн
10+ 68.43 грн
100+ 62.11 грн
500+ 48.95 грн
700+ 38.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15030G
Код товару: 154352		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.3 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+71.84 грн
250+ 65.93 грн
500+ 64.87 грн
1000+ 61.64 грн
Мінімальне замовлення: 170
MJE15030GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.96 грн
10+ 84.88 грн
100+ 56.21 грн
500+ 48.62 грн
700+ 43.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15030GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.37 грн
11+ 56.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE15030MJE15031
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15031onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
товару немає в наявності
MJE15031CDILTranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
MJE15031MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.53 грн
10+ 157.64 грн
100+ 122.61 грн
500+ 85.76 грн
1000+ 59.1 грн
5000+ 52.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15031onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE15031 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W
товару немає в наявності
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.6 грн
10+ 96.73 грн
14+ 78.07 грн
37+ 73.63 грн
100+ 71.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+82.91 грн
187+ 65.36 грн
500+ 46.42 грн
Мінімальне замовлення: 147
MJE15031GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 70MHz
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.33 грн
10+ 77.62 грн
14+ 65.06 грн
37+ 61.36 грн
100+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE15031G
Код товару: 45656		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE15031GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.18 грн
10+ 97.93 грн
100+ 71.42 грн
500+ 46.21 грн
1000+ 41.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+126.91 грн
10+ 89.29 грн
100+ 65.23 грн
500+ 41.98 грн
700+ 38.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE15031GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.46 грн
50+ 59.97 грн
100+ 54.34 грн
500+ 41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.34 грн
10+ 77.28 грн
100+ 60.23 грн
500+ 41.41 грн
700+ 38.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15031GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
на замовлення 26449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.34 грн
10+ 95.49 грн
100+ 58.48 грн
500+ 45.63 грн
700+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15031GON-SemicoductorBipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+112.87 грн
250+ 92.62 грн
500+ 69.62 грн
1000+ 64.9 грн
2500+ 57.74 грн
Мінімальне замовлення: 108
MJE15031G
Код товару: 180445		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE15031GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+95.56 грн
172+ 70.86 грн
500+ 46.5 грн
700+ 44.75 грн
Мінімальне замовлення: 128
MJE15032onsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE15032onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
товару немає в наявності
MJE15032ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15032 MJE15033ONTO220 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+78.69 грн
250+ 72.26 грн
500+ 71.2 грн
1000+ 67.64 грн
2500+ 59.62 грн
Мінімальне замовлення: 155
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.69 грн
12+ 52.23 грн
100+ 51.7 грн
500+ 49.36 грн
700+ 42.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+92.61 грн
Мінімальне замовлення: 132
MJE15032GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.98 грн
50+ 65.91 грн
100+ 59.79 грн
500+ 45.83 грн
1000+ 42.47 грн
2000+ 39.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.08 грн
MJE15032GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.76 грн
10+ 84.88 грн
100+ 65.72 грн
500+ 52.45 грн
700+ 47.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15032GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+286.62 грн
10+ 93.97 грн
13+ 78.96 грн
36+ 75.41 грн
100+ 72.75 грн
MJE15032GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.77 грн
10+ 97.93 грн
100+ 76.11 грн
500+ 51.38 грн
1000+ 46.47 грн
5000+ 45.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15032GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15032G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28060		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250 V
Ucbo,V: 250 V
Ic,A: 8 А
h21: 70
Монтаж: THT
у наявності 47 шт:
33 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+26.5 грн
10+ 23 грн
MJE15032GMJE15033G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15032MJE15033
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15033ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15033onsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE15033onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
товару немає в наявності
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+93.1 грн
152+ 80.55 грн
500+ 65.73 грн
700+ 54.62 грн
Мінімальне замовлення: 131
MJE15033GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MJE15033G ONS TMJE15033 ons
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+110.26 грн
10+ 86.25 грн
100+ 74.65 грн
500+ 58.76 грн
700+ 43.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.91 грн
10+ 79.84 грн
12+ 73.19 грн
33+ 68.75 грн
100+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15033GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15033G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.79 грн
10+ 97.93 грн
100+ 77.39 грн
500+ 52.34 грн
1000+ 47.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+96.86 грн
10+ 79.67 грн
100+ 70.72 грн
500+ 57.54 грн
700+ 44.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15033GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.29 грн
10+ 99.5 грн
12+ 87.83 грн
33+ 82.5 грн
100+ 79.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+92.89 грн
152+ 80.39 грн
500+ 65.62 грн
700+ 50.74 грн
Мінімальне замовлення: 132
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.23 грн
250+ 76.16 грн
500+ 75 грн
1000+ 69.47 грн
Мінімальне замовлення: 147
MJE15033GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+110.6 грн
10+ 86.45 грн
100+ 74.8 грн
500+ 58.86 грн
700+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15033GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 152412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
50+ 68.03 грн
100+ 61.73 грн
500+ 47.38 грн
1000+ 43.93 грн
2000+ 41.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15033GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W PNP
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.9 грн
10+ 92.23 грн
100+ 65.22 грн
250+ 63.38 грн
500+ 50.96 грн
700+ 49.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15033G
Код товару: 27993		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 250 V
Uкб, В: 250 V
Iк, А: 8 А
h21,max: 70
у наявності 49 шт:
30 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30 грн
10+ 27 грн
MJE15034ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15034onsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE15034onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
товару немає в наявності
MJE15034
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15034(транзистор)
Код товару: 67257		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
MJE15034GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15034G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.4 грн
10+ 93.95 грн
100+ 68.87 грн
500+ 44.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15034GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.39 грн
50+ 57.89 грн
100+ 52.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15034GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W NPN
на замовлення 13187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.78 грн
10+ 90.6 грн
100+ 61.39 грн
500+ 52.02 грн
800+ 42.37 грн
2400+ 41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+109.86 грн
10+ 89.54 грн
100+ 69.87 грн
500+ 56.69 грн
800+ 41.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.65 грн
10+ 97.65 грн
16+ 67.42 грн
43+ 63.87 грн
250+ 61.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.25 грн
250+ 64.24 грн
500+ 63.29 грн
1000+ 60.12 грн
2500+ 52.84 грн
Мінімальне замовлення: 174
MJE15034GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE15034GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.54 грн
10+ 78.36 грн
16+ 56.19 грн
43+ 53.23 грн
250+ 51.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE15034G(транзистор)
Код товару: 61129		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
MJE15034MJE15035
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15035ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE15035
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE15035onsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE15035onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
товару немає в наявності
MJE15035
Код товару: 67258		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 30 MHz
Uке, В: 350 V
Uкб, В: 350 V
Iк, А: 4 A
товару немає в наявності
1+20 грн
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.45 грн
10+ 103.8 грн
12+ 90.49 грн
32+ 85.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+85.65 грн
173+ 70.59 грн
500+ 61.89 грн
800+ 48.28 грн
Мінімальне замовлення: 143
MJE15035GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.46 грн
50+ 59.97 грн
100+ 54.34 грн
500+ 41.55 грн
1000+ 38.46 грн
2000+ 35.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 350V 50W PNP
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.59 грн
10+ 102.84 грн
100+ 61.39 грн
500+ 48.83 грн
800+ 43.65 грн
2400+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
MJE15035GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 4A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 50W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+ 86.5 грн
12+ 75.41 грн
32+ 70.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+98 грн
159+ 76.99 грн
500+ 65.71 грн
800+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 125
MJE15035GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.94 грн
10+ 103.5 грн
100+ 76.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.71 грн
10+ 91 грн
100+ 71.49 грн
500+ 58.84 грн
800+ 42.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE15035GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE15035GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 4A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+94.1 грн
10+ 79.72 грн
100+ 65.7 грн
500+ 55.55 грн
800+ 41.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE15035G(транзистор)
Код товару: 61130		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
MJE16002
на замовлення 7253 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE16002Harris CorporationDescription: TRANS NPN 6V 5A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+73.45 грн
Мінімальне замовлення: 290
MJE16004ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE16004 - 5-A SWITCH MAX II POWER TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJE16004onsemiDescription: MAX II POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 103800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+39.6 грн
Мінімальне замовлення: 533
MJE170ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 40V 3A TO225AA
товару немає в наявності
MJE170ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE170ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
товару немає в наявності
MJE170GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W PNP
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.35 грн
10+ 53.3 грн
100+ 33.85 грн
500+ 28.39 грн
1000+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 344
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE170GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.36 грн
10+ 55.15 грн
100+ 36.44 грн
500+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.68 грн
19+ 32.93 грн
100+ 29.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
MJE170GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.67 грн
15+ 55.89 грн
100+ 37.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE170GON Semiconductor
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE170G
Код товару: 161611		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE170GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.61 грн
24+ 25.54 грн
100+ 23.17 грн
500+ 20.21 грн
Мінімальне замовлення: 23
MJE170S
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE170STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE170STUFairchild SemiconductorDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
MJE170STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE171
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE171onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
товару немає в наявності
MJE171onsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
MJE171Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE171GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE171G - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, TO-225
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: -3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.32 грн
15+ 55.25 грн
100+ 36.46 грн
500+ 28.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJE171GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.58 грн
10+ 48.35 грн
100+ 33.47 грн
500+ 26.25 грн
1000+ 22.34 грн
2000+ 19.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE171GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W PNP
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.62 грн
10+ 52.89 грн
100+ 32.93 грн
500+ 26.47 грн
1000+ 20.65 грн
3000+ 20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+33.35 грн
430+ 28.33 грн
500+ 25.99 грн
1000+ 19.66 грн
Мінімальне замовлення: 365
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE171GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.65 грн
20+ 30.97 грн
100+ 26.31 грн
500+ 23.27 грн
1000+ 16.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
MJE171STUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE172onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
товару немає в наявності
MJE172onsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE172STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
MJE172STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 80V 3A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
MJE172STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
MJE172/80Vdc3A/TO-220ON09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE172GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.72 грн
15+ 55.25 грн
100+ 36.3 грн
500+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+28.08 грн
1000+ 23.88 грн
2500+ 23.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; TO225
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Frequency: 50MHz
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.16 грн
10+ 40.44 грн
38+ 23.14 грн
102+ 21.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE172GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W PNP
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.94 грн
10+ 53.54 грн
100+ 32.58 грн
500+ 26.47 грн
1000+ 22 грн
3000+ 19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+26.65 грн
1000+ 22.74 грн
10000+ 19.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE172GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; TO225
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 15W
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.19 грн
10+ 50.39 грн
38+ 27.77 грн
102+ 26.26 грн
1000+ 25.37 грн
5000+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+25.99 грн
1000+ 22.11 грн
2500+ 21.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE172G
Код товару: 86262		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.84 грн
1000+ 30.38 грн
2500+ 29.19 грн
5000+ 27.4 грн
7500+ 24.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.09 грн
14+ 45.18 грн
100+ 32.91 грн
500+ 25.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE172GonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.68 грн
10+ 50.57 грн
100+ 33.33 грн
500+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+48.65 грн
344+ 35.44 грн
500+ 28.21 грн
Мінімальне замовлення: 251
MJE172GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE172MJE182
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE172STUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE172STU
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE172STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE172STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE172STU - TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -80V, TO126-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE172STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE180ON0305
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE180NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 3A TO225AA
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE180onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
товару немає в наявності
MJE180MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS NPN 40V SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
MJE180 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.19 грн
10+ 110.52 грн
100+ 87.92 грн
500+ 69.82 грн
1000+ 59.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE180 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.56 грн
10+ 119.98 грн
100+ 83.04 грн
250+ 76.65 грн
500+ 69.98 грн
1000+ 59.55 грн
2000+ 56.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE180 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
MJE180 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 40Vceo 7.0Vebo 3.0A 1.5W
товару немає в наявності
MJE18002ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 1025
MJE18002onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
MJE18002
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE18002onsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE18002D2NXPDescription: NXP - MJE18002D2 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+49.36 грн
Мінімальне замовлення: 781
MJE18002D2MotorolaDescription: TRANS NPN 450V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 13900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 650
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 513
MJE18002GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 2A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE18002GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18002G - MJE18002G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.6 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJE18002GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
MJE18002GonsemiBipolar Transistors - BJT 2A 450V 40W NPN
товару немає в наявності
MJE18004onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
товару немає в наявності
MJE18004onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
MJE18004D2onsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
MJE18004D2GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE18004GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 1000V 75W NPN
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.86 грн
10+ 80.47 грн
100+ 50.89 грн
500+ 44.64 грн
1000+ 41.23 грн
5000+ 39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE18004GON-SemicoductorNPN 5A 1000V 75W MJE18004G TMJE18004
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE18004GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.63 грн
10+ 90.71 грн
100+ 61.47 грн
500+ 45.93 грн
1000+ 42.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.07 грн
10+ 78.72 грн
100+ 65 грн
500+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE18004GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE18004GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18004G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 32hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.59 грн
10+ 96.33 грн
100+ 71.49 грн
500+ 56.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE18006onsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
MJE18006
Код товару: 77960		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 6 А
Монтаж: THT
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+16 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE18006Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE18006onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 450V 100W NPN
товару немає в наявності
MJE18006
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 310
MJE18006GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 6A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE18006G
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE18006GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18006G - MJE18006G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+82 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJE18006GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
MJE18006GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 450V
товару немає в наявності
MJE18008Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE18008onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
товару немає в наявності
MJE18008
Код товару: 77961		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 13 MHz
Uceo,V: 450 V
Ic,A: 8 А
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+20 грн
10+ 13.8 грн
MJE18008onsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE18008GON-SemicoductorNPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE18008GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.85 грн
10+ 140.12 грн
100+ 112.26 грн
500+ 77.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+125.53 грн
250+ 114.98 грн
500+ 112.87 грн
Мінімальне замовлення: 97
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJE18008GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.8 грн
10+ 136.77 грн
100+ 94.82 грн
500+ 72.11 грн
1000+ 66.68 грн
2000+ 62.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+100.76 грн
10+ 91.71 грн
100+ 80.78 грн
250+ 77.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE18008GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN
на замовлення 3664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.68 грн
10+ 142.83 грн
100+ 100.78 грн
250+ 99.36 грн
500+ 85.17 грн
800+ 73.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+175 грн
85+ 143.29 грн
109+ 112.51 грн
250+ 107.41 грн
500+ 82.62 грн
Мінімальне замовлення: 70
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+162.5 грн
10+ 133.06 грн
100+ 104.47 грн
250+ 99.74 грн
500+ 76.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE18008GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE1800B
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE180GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.17 грн
10+ 56.63 грн
100+ 44.05 грн
500+ 35.04 грн
1000+ 28.54 грн
2000+ 26.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE180GOn SemiconductorNPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3)
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MJE180G
Код товару: 161612		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE180GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.32 грн
10+ 63.5 грн
100+ 42.58 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 28.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE180GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.19 грн
13+ 66 грн
100+ 47.37 грн
500+ 31.64 грн
1000+ 23.27 грн
2000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE180GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE180PWDonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE180STUonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.2 грн
10+ 43.69 грн
100+ 30.23 грн
500+ 23.7 грн
1000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE180STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 1920
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.38 грн
17+ 35.49 грн
100+ 27.74 грн
500+ 23.12 грн
1000+ 17.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJE180STUFairchild SemiconductorDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1093+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 1093
MJE180STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.84 грн
10+ 43.75 грн
100+ 28.53 грн
500+ 23.49 грн
1000+ 19.3 грн
1920+ 17.88 грн
5760+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE180STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+38.22 грн
408+ 29.87 грн
500+ 25.82 грн
1000+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 319
MJE181ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A TO225AA
товару немає в наявності
MJE181onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE181
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE181GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 11316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.51 грн
10+ 45.32 грн
100+ 31.35 грн
500+ 24.59 грн
1000+ 20.92 грн
2000+ 18.63 грн
5000+ 17.36 грн
10000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE181GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 60V 12.5W NPN
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.86 грн
10+ 50.6 грн
100+ 31.72 грн
500+ 24.91 грн
1000+ 21.22 грн
3000+ 19.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE181GONSEMIMJE181G NPN THT transistors
товару немає в наявності
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+73.26 грн
10+ 65.01 грн
100+ 52.22 грн
500+ 39.86 грн
1000+ 28.5 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.01 грн
217+ 56.24 грн
500+ 44.52 грн
1000+ 33.15 грн
Мінімальне замовлення: 174
MJE181GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE181STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE181STUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 7680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 1920
MJE181STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
MJE181STUFairchild SemiconductorDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 6097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1360+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 1360
MJE181STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE181STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE181STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 1920
MJE182MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE182onsemiDescription: TRANS PWR NPN 3A 80V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 1158
MJE182STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Power Sw
товару немає в наявності
MJE182STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 3A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 12.5 W
товару немає в наявності
MJE182ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182 - MJE182, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE182ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE182onsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
товару немає в наявності
MJE182STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 3A 12500mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
MJE18204ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18204 - TRANSISTOR, NPN TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.82 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJE18204onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.25V @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 40373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 567
MJE18206onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 18 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 1110
MJE18206ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE18206 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 250
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.32 грн
13+ 47.33 грн
100+ 33.69 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 19.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 12...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.1 грн
10+ 52.51 грн
49+ 21.56 грн
133+ 20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.15 грн
1000+ 34.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE182GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.66 грн
14+ 57.8 грн
100+ 36.7 грн
500+ 28.31 грн
1000+ 19.72 грн
5000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE182GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN
на замовлення 9126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.35 грн
10+ 52.97 грн
100+ 32.01 грн
500+ 26.19 грн
1000+ 21.08 грн
3000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE182GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 12...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.75 грн
10+ 42.14 грн
49+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+50.97 грн
336+ 36.28 грн
500+ 30.42 грн
1000+ 22.78 грн
Мінімальне замовлення: 239
MJE182GON-SemicoductorNPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE182GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 20116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.98 грн
10+ 52.12 грн
100+ 34.35 грн
500+ 25.08 грн
1000+ 22.77 грн
2000+ 20.82 грн
5000+ 18.41 грн
10000+ 17.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE182GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+33.96 грн
1000+ 32.81 грн
2500+ 30.92 грн
5000+ 28.51 грн
7500+ 25.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE182G
Код товару: 62118		Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
MJE182STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE182STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE182STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 329542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 1480
MJE182STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE182STU - TRANSISTOR, NPN, 80V, 50MHZ, TO-126
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE182STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE20
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE200Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS NPN 40V 5A TO225AA
товару немає в наявності
MJE200onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
товару немає в наявності
MJE200
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE200-T
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE200GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.86 грн
10+ 45.02 грн
100+ 31.13 грн
500+ 23.35 грн
1000+ 21.42 грн
2000+ 19.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE200GON08+ DIP-8
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE200GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W NPN
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.43 грн
10+ 56.97 грн
100+ 34.85 грн
500+ 27.82 грн
1000+ 22.99 грн
3000+ 21.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+64.53 грн
12+ 54.51 грн
100+ 35.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE200GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.34 грн
14+ 58.2 грн
100+ 38.85 грн
500+ 30.09 грн
1000+ 20.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+32.34 грн
1000+ 31.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE200GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE200NLIGHTNING08+ TO126
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE200STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE200STU - MJE200STU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 64533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 1920
MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE200STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE200STU
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE200STUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 99932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 1665
MJE200STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE200TS
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE200TSTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
товару немає в наявності
MJE200TSTUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE210onsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
товару немає в наявності
MJE210onsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE210Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE210STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplifier
товару немає в наявності
MJE210STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
MJE210STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE210ON05+06+
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE210ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE210-STU
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 904
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE210GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 65MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.25 грн
14+ 60.67 грн
100+ 38.77 грн
500+ 25.14 грн
1000+ 19.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
товару немає в наявності
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE210NLIGHTNINGTO126 08+
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE210STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 58888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+17.2 грн
Мінімальне замовлення: 1920
MJE210STU
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE210STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE210STUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE210STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE210TonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE210TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+17.8 грн
Мінімальне замовлення: 1158
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE210TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 300
MJE2360T
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
MJE243ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE243
Код товару: 41963		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
MJE243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE243ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO225AA
товару немає в наявності
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+44.93 грн
355+ 34.32 грн
500+ 28.75 грн
1000+ 22.25 грн
2500+ 19.08 грн
Мінімальне замовлення: 271
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.67 грн
13+ 49.87 грн
100+ 35.23 грн
500+ 27.35 грн
1000+ 19.5 грн
2500+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.34 грн
15+ 56.21 грн
100+ 36.3 грн
500+ 27.5 грн
1000+ 19.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE243GON-SemicoductorNPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.45 грн
15+ 41.98 грн
100+ 32.07 грн
500+ 25.89 грн
1000+ 19.25 грн
2500+ 17.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJE243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.6 грн
10+ 51.42 грн
100+ 31.58 грн
500+ 25.83 грн
1000+ 20.01 грн
2500+ 19.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+53.7 грн
321+ 37.94 грн
500+ 30.54 грн
1000+ 22.68 грн
2500+ 19.21 грн
Мінімальне замовлення: 227
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.58 грн
10+ 47.61 грн
100+ 32.99 грн
500+ 25.87 грн
1000+ 22.02 грн
2000+ 19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE243GONSEMIMJE243G NPN THT transistors
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.6 грн
36+ 29.54 грн
97+ 27.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.84 грн
1000+ 30.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE243MJE253
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE253
Код товару: 41964		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
MJE253ONSEMI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE253onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE253GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 48916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.26 грн
10+ 42.07 грн
100+ 29.02 грн
500+ 21.71 грн
1000+ 19.9 грн
2000+ 18.35 грн
5000+ 16.4 грн
10000+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.75 грн
10+ 42.88 грн
34+ 25.43 грн
93+ 24.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE253GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 12997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.58 грн
10+ 56.97 грн
100+ 33.29 грн
500+ 25.9 грн
1000+ 21.22 грн
5000+ 19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJE253GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.34 грн
14+ 57.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.1 грн
10+ 53.43 грн
34+ 30.52 грн
93+ 28.83 грн
500+ 27.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE253GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+30.44 грн
1000+ 29.98 грн
2500+ 28.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE270Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE270
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE270onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
MJE270onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE270GONSEMIMJE270G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.1 грн
39+ 26.88 грн
107+ 25.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+38.84 грн
1000+ 35.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE270GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.58 грн
10+ 48.57 грн
100+ 33.6 грн
500+ 26.35 грн
1000+ 22.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE270GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.07 грн
100+ 24.1 грн
Мінімальне замовлення: 22
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE270GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.79 грн
10+ 54.19 грн
100+ 32.5 грн
500+ 27.82 грн
1000+ 23.7 грн
5000+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE270TGonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
MJE270TGON Semiconductor2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
MJE270TGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.65 грн
50+ 48.63 грн
100+ 35.29 грн
500+ 27.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE271onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE271onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE271
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE271Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
MJE271GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
MJE271GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE271GON Semiconductor
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 701
MJE271GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE2801T PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.14 грн
10+ 255.46 грн
25+ 210.08 грн
100+ 182.4 грн
500+ 154.72 грн
1000+ 127.75 грн
2500+ 122.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A
товару немає в наявності
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorPower Transistors
товару немає в наявності
MJE2955MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE2955
Код товару: 24030		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
h21,max: 100
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 9.9 грн
MJE2955FSC09+ TSSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE2955-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE2955/3055ST08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE2955ET4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+53.76 грн
271+ 44.99 грн
500+ 39.91 грн
1000+ 31.89 грн
2000+ 29.3 грн
5000+ 26.03 грн
Мінімальне замовлення: 227
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
MJE2955T
Код товару: 57977		STТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 2 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 70 V
Iк, А: 10 А
у наявності 36 шт:
13 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+27.5 грн
10+ 24.8 грн
100+ 21.8 грн
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+69.06 грн
226+ 54.06 грн
500+ 46.23 грн
1000+ 35.1 грн
Мінімальне замовлення: 177
MJE2955TonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE2955TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.35 грн
12+ 71.1 грн
100+ 51.35 грн
500+ 40.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.48 грн
10+ 64.13 грн
100+ 50.2 грн
500+ 41.39 грн
1000+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.08 грн
13+ 50.06 грн
100+ 41.89 грн
500+ 35.83 грн
1000+ 27.49 грн
2000+ 26.19 грн
5000+ 24.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE2955TSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.47 грн
50+ 57.47 грн
100+ 45.55 грн
500+ 36.23 грн
1000+ 29.51 грн
2000+ 27.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товару немає в наявності
MJE2955TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.63 грн
10+ 66.19 грн
100+ 45.63 грн
500+ 38.11 грн
1000+ 31.09 грн
2000+ 29.67 грн
5000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE2955TGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.55 грн
50+ 50.37 грн
100+ 44.93 грн
500+ 33.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE2955TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.93 грн
13+ 65.84 грн
100+ 45.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 171
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.13 грн
500+ 57.36 грн
1000+ 48.13 грн
2500+ 45.2 грн
Мінімальне замовлення: 147
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+37.31 грн
362+ 33.67 грн
500+ 30.74 грн
Мінімальне замовлення: 327
MJE2955TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
на замовлення 7596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.53 грн
10+ 62.76 грн
100+ 46.34 грн
500+ 36.41 грн
1000+ 30.59 грн
2900+ 29.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+66.46 грн
13+ 49.17 грн
100+ 41.44 грн
500+ 34.66 грн
1000+ 28.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE2955TGON Semiconductor
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.8 грн
18+ 34.65 грн
100+ 31.26 грн
500+ 27.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJE2955TMJE3055T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE2955TTUFairchildPNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE2955TTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
товару немає в наявності
MJE2955TTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
MJE2955TTUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
MJE2955TTU-ONonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
MJE2955TTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE3055STM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE3055-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 60V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE3055/2955T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+60.37 грн
223+ 54.66 грн
500+ 44.3 грн
1000+ 36.63 грн
2500+ 31.8 грн
10000+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 202
MJE3055TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.37 грн
12+ 67.67 грн
100+ 50.32 грн
500+ 39.92 грн
1000+ 29.21 грн
5000+ 27.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE3055TSTMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.66 грн
50+ 46.77 грн
100+ 42.23 грн
500+ 31.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+75.99 грн
12+ 51.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE3055TonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
товару немає в наявності
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.67 грн
10+ 52.42 грн
31+ 28.38 грн
83+ 26.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
MJE3055TSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.56 грн
11+ 55.67 грн
100+ 50.4 грн
500+ 39.4 грн
1000+ 31.28 грн
2500+ 28.15 грн
10000+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.62 грн
10+ 128.98 грн
100+ 92.35 грн
500+ 60.03 грн
1000+ 39.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE3055TSTMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
10+ 65.32 грн
31+ 34.06 грн
83+ 32.19 грн
5000+ 31.23 грн
10000+ 31.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE3055TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.6 грн
10+ 52.56 грн
100+ 41.23 грн
500+ 33.36 грн
1000+ 32.15 грн
2000+ 30.3 грн
5000+ 28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE3055T
Код товару: 190953		JSMICROТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 A
h21: 100
Монтаж: THT
у наявності 135 шт:
135 шт - склад
1+22 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
MJE3055TSTNPN 10A 60V 75W MJE3055T TMJE3055t
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
MJE3055T (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 26410		STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220AB
fT: 2 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 70 V
Ic,A: 10 А
h21: 100
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 16.4 грн
100+ 14.8 грн
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+47.66 грн
283+ 43.02 грн
500+ 34.66 грн
1000+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 256
MJE3055TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W NPN
на замовлення 13706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.37 грн
10+ 54.19 грн
100+ 39.25 грн
500+ 31.87 грн
1000+ 25.83 грн
2900+ 25.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE3055TGON Semiconductor
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+74.43 грн
14+ 44.25 грн
100+ 39.95 грн
500+ 31.04 грн
1000+ 24.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+42.33 грн
500+ 38.86 грн
1000+ 38.27 грн
Мінімальне замовлення: 288
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE3055TGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE3055TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3055TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.07 грн
15+ 56.37 грн
100+ 41.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE3055TGonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
MJE3055TL
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.72 грн
13+ 48.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE3055TTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
MJE3055TTUonsemiDescription: TRANS NPN 60V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
MJE3055TTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE340MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single Transistor, NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.41 грн
13+ 64.65 грн
100+ 46.18 грн
500+ 30.02 грн
1000+ 19.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.38 грн
10+ 37.41 грн
45+ 19.22 грн
124+ 18.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE340
Код товару: 174065		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
у наявності 127 шт:
84 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+9 грн
10+ 8 грн
100+ 7.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.56 грн
17+ 36.54 грн
100+ 32.41 грн
500+ 25.34 грн
1000+ 21.51 грн
2000+ 17.88 грн
4000+ 16.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE340STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.42 грн
50+ 30.56 грн
100+ 27.44 грн
500+ 20.48 грн
1000+ 18.74 грн
2000+ 17.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE340STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
на замовлення 6074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.79 грн
10+ 34.36 грн
100+ 26.83 грн
500+ 21.29 грн
1000+ 19.52 грн
2000+ 17.96 грн
4000+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE340STMicroelectronicsТранзистор NPN; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; hFE = 240 @ Ic = 50 mA, Vce = 10 V; Icutoff-max = 100 мкА; Р, Вт = 20 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = вивідний; TO-126-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
15+41.61 грн
100+ 13.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
MJE340STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE340 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.22 грн
17+ 48.8 грн
100+ 32.16 грн
500+ 24.99 грн
1000+ 16.58 грн
5000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 20178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+36.13 грн
380+ 32.05 грн
500+ 25.98 грн
1000+ 22.97 грн
2000+ 18.41 грн
4000+ 16.64 грн
10000+ 14.85 грн
Мінімальне замовлення: 337
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+39.53 грн
348+ 35.06 грн
500+ 28.42 грн
1000+ 25.12 грн
2000+ 20.14 грн
4000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 308
MJE340Good-Ark SemiconductorDescription: TRANSISTOR, NPN, 260V, 0.50A, TO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76 грн
10+ 49.24 грн
100+ 34.13 грн
500+ 25.65 грн
1000+ 23.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE340ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 20178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.93 грн
18+ 33.55 грн
100+ 29.76 грн
500+ 23.26 грн
1000+ 19.75 грн
2000+ 16.41 грн
4000+ 15.45 грн
10000+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
товару немає в наявності
MJE340STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20.8W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.46 грн
10+ 46.62 грн
45+ 23.07 грн
124+ 21.74 грн
5000+ 21.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
MJE340STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
MJE340 (Hottech)
Код товару: 189369		HottechТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 10.5 грн
MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29960		STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 8 грн
100+ 7.2 грн
MJE340 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 128645		CDILТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20 грн
10+ 7 грн
100+ 6.3 грн
MJE340 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
MJE340 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 300Vcbo 300Vceo 3.0Vebo 500mA 20.8W
товару немає в наявності
MJE340/350
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE340F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+40.42 грн
436+ 27.96 грн
548+ 22.23 грн
1000+ 18.04 грн
2500+ 15.11 грн
10000+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 302
MJE340GJSMicro SemiconductorTransistor NPN; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE340; MJE340STU; KSE340; KSE340STU; MJE340G JSMICRO TMJE340 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 83664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 413
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 17745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.97 грн
10+ 34.38 грн
100+ 23.57 грн
500+ 17.5 грн
1000+ 15.98 грн
2000+ 14.69 грн
5000+ 13.05 грн
10000+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 78989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 83687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+60.11 грн
15+ 40.88 грн
100+ 28.28 грн
500+ 21.67 грн
1000+ 16.89 грн
2500+ 14.67 грн
10000+ 13.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE340G
Код товару: 112487		STMТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-225
Uceo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20 грн
MJE340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 22499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.07 грн
19+ 43.39 грн
100+ 27.07 грн
500+ 21 грн
1000+ 14.6 грн
5000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJE340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W NPN
на замовлення 42534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.86 грн
10+ 44.32 грн
100+ 26.26 грн
500+ 20.37 грн
1000+ 16.61 грн
3000+ 14.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.01 грн
12+ 31.27 грн
44+ 19.81 грн
120+ 18.7 грн
500+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE340GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.81 грн
10+ 38.97 грн
44+ 23.78 грн
120+ 22.44 грн
500+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+23.52 грн
1000+ 23 грн
2500+ 22.13 грн
Мінімальне замовлення: 518
MJE340GON-SemicoductorNPN 500mA 300V 20W MJE340G ONS TMJE340 ONS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJE340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 12750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.19 грн
17+ 37.53 грн
100+ 25.96 грн
500+ 19.9 грн
1000+ 15.51 грн
2500+ 13.47 грн
10000+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE340G/MJE350GONTO-225 10+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE340MJE350FSCST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE340STUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE340STUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
MJE340STUonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJE340STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE3439ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE3439 - TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MJE3439onsemiDescription: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 2219
MJE3439
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+39.9 грн
17+ 35.81 грн
100+ 27.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJE3439GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE3439GON Semiconductor
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE3439GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.3A 350V 15W NPN
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+15.3 грн
Мінімальне замовлення: 40
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE3439GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.3A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE344STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE344ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
товару немає в наявності
MJE344ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 200V 500MA TO225AA
товару немає в наявності
MJE344STTO-126
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE3440STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
товару немає в наявності
MJE3440STTO-126
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE3440Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE344GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.97 грн
18+ 33.58 грн
100+ 27.24 грн
500+ 22.07 грн
1000+ 16.55 грн
2500+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJE344GonsemiDescription: TRANS NPN 200V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJE344GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 0.5A 200V 20W NPN
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE344GON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE344GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.77 грн
16+ 37.81 грн
100+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 16318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.84 грн
16+ 38.89 грн
100+ 26.88 грн
500+ 22.09 грн
1000+ 15.72 грн
2500+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJE350
Код товару: 34450		FairchildТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A
товару немає в наявності
MJE350STMicroelectronics NVPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A, h21=30...240, 20.8Вт, SOT-32 (компл. MJE340)
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 39191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.47 грн
16+ 38.71 грн
100+ 26.88 грн
500+ 22.12 грн
1000+ 15.78 грн
2500+ 11.69 грн
10000+ 11.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.58 грн
11+ 35.26 грн
50+ 28.83 грн
55+ 15.67 грн
151+ 14.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 39641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+11.1 грн
Мінімальне замовлення: 30
MJE350STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 20.8 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.66 грн
19+ 42.91 грн
100+ 28.26 грн
500+ 22.55 грн
1000+ 16.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJE350STPNP 500mA 300V 20W MJE350 TMJE350
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
товару немає в наявності
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 16318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
291+41.86 грн
424+ 28.75 грн
500+ 24.44 грн
1000+ 17.91 грн
2500+ 13.89 грн
Мінімальне замовлення: 291
MJE350MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE350 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.21 грн
13+ 65.13 грн
100+ 46.5 грн
500+ 30.24 грн
1000+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE350STMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; SOT32
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.5 грн
10+ 43.94 грн
50+ 34.6 грн
55+ 18.81 грн
151+ 17.74 грн
10000+ 17.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 39178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+41.6 грн
424+ 28.72 грн
500+ 24.46 грн
1000+ 17.97 грн
2500+ 11.54 грн
10000+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 293
MJE350STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20.8 W
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.65 грн
50+ 29.82 грн
100+ 26.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE350STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 2800mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
MJE350STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 5261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.78 грн
10+ 38.77 грн
100+ 24.91 грн
500+ 21.29 грн
1000+ 18.67 грн
2000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE350 = KSE350STU
Код товару: 30696		Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-127
Uке, В: 300 V
Uкб, В: 300 V
Iк, А: 0,5 A
товару немає в наявності
MJE350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP
на замовлення 20604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.49 грн
10+ 49.13 грн
100+ 29.95 грн
500+ 23.14 грн
1000+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+70.14 грн
12+ 53.38 грн
100+ 37.46 грн
500+ 27.85 грн
1000+ 24.39 грн
3000+ 23.28 грн
6000+ 23.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+57.32 грн
10+ 49.84 грн
39+ 26.44 грн
107+ 25.02 грн
500+ 24.93 грн
1000+ 24.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.4 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE350G
Код товару: 112488		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE350GON-SemicoductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
MJE350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.65 грн
10+ 39.55 грн
100+ 27.27 грн
500+ 20.36 грн
1000+ 18.64 грн
2000+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 13160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+52.39 грн
332+ 36.77 грн
500+ 28.34 грн
1000+ 22.02 грн
3000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 233
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.92 грн
13+ 48.65 грн
100+ 34.14 грн
500+ 25.38 грн
1000+ 18.93 грн
3000+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE350GON SemiconductorТранзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
46+13.57 грн
50+ 12.67 грн
100+ 11.76 грн
Мінімальне замовлення: 46
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 13158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+57.5 грн
302+ 40.34 грн
500+ 31.1 грн
1000+ 28.37 грн
3000+ 26.11 грн
6000+ 25 грн
Мінімальне замовлення: 212
MJE350GJSMicro SemiconductorTransistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJE350GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO225
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+47.77 грн
10+ 40 грн
39+ 22.03 грн
107+ 20.85 грн
500+ 20.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE350GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+29.28 грн
1000+ 28.44 грн
2500+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE350GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.17 грн
15+ 53.26 грн
100+ 33.6 грн
500+ 26.02 грн
1000+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
MJE350MJE340
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE350STUonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE350STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
MJE350STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товару немає в наявності
MJE350STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
MJE350 /MJE340ON09+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE371ON09+
на замовлення 20148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE371onsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE371ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE371 - TRANS PNP 40V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE371 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP GP
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.8 грн
10+ 141.2 грн
25+ 116.39 грн
100+ 99.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE371 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
MJE371(транзистор)
Код товару: 92550		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+75.15 грн
10+ 61.27 грн
100+ 52.45 грн
500+ 38.56 грн
1000+ 29.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
MJE371GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 40V 40W PNP
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.58 грн
10+ 63.42 грн
100+ 49.61 грн
500+ 36.34 грн
1000+ 30.3 грн
5000+ 28.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
MJE371G
Код товару: 131917		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE371GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.17 грн
10+ 57.15 грн
500+ 37.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE371GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 4A 4000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+65.99 грн
238+ 51.15 грн
500+ 43.06 грн
1000+ 32.98 грн
Мінімальне замовлення: 185
MJE3O55T
на замовлення 8658 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE4343onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
товару немає в наявності
MJE4343
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE4343onsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
MJE4343Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
MJE4343GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.27 грн
10+ 265.92 грн
100+ 191.48 грн
500+ 149.83 грн
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
MJE4343GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W NPN
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.81 грн
10+ 304.43 грн
30+ 190.2 грн
300+ 174.59 грн
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
MJE4343GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
MJE4353ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE4353 - TRANSISTOR, PNP TO-218
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE4353onsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
MJE4353onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
товару немає в наявності
MJE4353G
Код товару: 106227		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE4353GonsemiDescription: TRANS PNP 160V 16A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
MJE4353GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 160V 125W PNP
товару немає в наявності
MJE4353GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 160V 16A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
MJE5050
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE520
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE520Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
товару немає в наявності
MJE520 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.52 грн
10+ 66.03 грн
25+ 54.51 грн
100+ 44.78 грн
500+ 36.98 грн
1000+ 29.1 грн
2000+ 26.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE520 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 3A TO-126
Packaging: Tube
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
MJE520 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
MJE520 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 30Vcbo 30Vceo 4.0Vebo 3.0A 25W
товару немає в наявності
MJE521STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 40V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE521ON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE521STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
MJE521 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товару немає в наявності
MJE521 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
MJE521 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 4.0Vebo 4.0A 40W
товару немає в наявності
MJE521(транзистор)
Код товару: 92551		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
MJE521GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE521GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE521G - MJE521G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE5730onsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE5730onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
товару немає в наявності
MJE5730
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5730GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
на замовлення 6268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.05 грн
10+ 78.19 грн
100+ 53.58 грн
500+ 44 грн
1000+ 37.26 грн
5000+ 34.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE5730GON05+06+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5730G
Код товару: 171586		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE5730GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.89 грн
10+ 82 грн
100+ 78.58 грн
500+ 69.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE5730GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5730GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.48 грн
50+ 54.2 грн
100+ 49.05 грн
500+ 37.37 грн
1000+ 34.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5731onsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE5731onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
товару немає в наявності
MJE5731
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5731AonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE5731AON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 1A 375V 40W PNP
товару немає в наявності
MJE5731A
Код товару: 151453		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.85 грн
10+ 72.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5731AGonsemiDescription: TRANS PNP 375V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.45 грн
50+ 65.78 грн
100+ 52.13 грн
500+ 41.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 50
MJE5731AGonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 375V
на замовлення 11602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.32 грн
10+ 64.8 грн
100+ 45.78 грн
500+ 40.03 грн
1000+ 31.37 грн
3000+ 31.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE5731AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 375V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5731AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 375 V, 1 A, 2 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 375V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.37 грн
13+ 62.18 грн
100+ 47.69 грн
500+ 39.48 грн
1000+ 34.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE5731GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.45 грн
50+ 65.78 грн
100+ 52.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.75 грн
10+ 77.62 грн
100+ 63.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE5731GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.92 грн
10+ 53.79 грн
100+ 40.31 грн
500+ 32.86 грн
5000+ 31.3 грн
10000+ 31.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+103.02 грн
154+ 79.41 грн
500+ 70.26 грн
Мінімальне замовлення: 119
MJE5731GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.54 грн
14+ 57.64 грн
100+ 45.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+112.87 грн
10+ 95.66 грн
100+ 73.74 грн
500+ 62.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE5731GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+75.85 грн
196+ 62.22 грн
Мінімальне замовлення: 161
MJE5740onsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar
товару немає в наявності
MJE5740
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5740GonsemiDarlington Transistors 8A 300V Bipolar Power NPN
товару немає в наявності
MJE5740GonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
товару немає в наявності
MJE5741
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5742onsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar
товару немає в наявності
MJE5742onsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
MJE5742
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE5742GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5742G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 400 V, 100 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.12 грн
10+ 106.68 грн
100+ 75.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE5742GONSEMIMJE5742G NPN THT Darlington transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+145.22 грн
12+ 87.83 грн
33+ 83.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5742GonsemiDarlington Transistors 8A 400V Bipolar Power NPN
на замовлення 10338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.51 грн
10+ 104.47 грн
100+ 72.39 грн
250+ 66.64 грн
500+ 60.89 грн
700+ 52.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5742GON SemiconductorTrans Darlington NPN 400V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE5742GON-SemicoductorNPN 8A 400V Darlington MJE5742G TMJE5742g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJE5742GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.23 грн
50+ 91.41 грн
100+ 75.21 грн
500+ 59.72 грн
1000+ 50.67 грн
2000+ 48.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5850onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
MJE5850onsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE5850ON04+
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5850ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5850 - MJE5850, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE5850GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 300V 80W PNP
товару немає в наявності
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5850GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5850GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5851ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
товару немає в наявності
MJE5851onsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5851GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 350V 80W PNP
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.5 грн
10+ 275.05 грн
50+ 225.69 грн
100+ 195.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
MJE5851GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE5851G
Код товару: 180290		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE5851GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+225.37 грн
10+ 188.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5852
Код товару: 103964		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE5852ON08+ TSSOP
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5852onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
товару немає в наявності
MJE5852STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE5852STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
товару немає в наявності
MJE5852ON09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5852onsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
MJE5852GonsemiDescription: TRANS PNP 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.55 грн
10+ 193.99 грн
100+ 137.11 грн
500+ 105.85 грн
1000+ 98.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+185.66 грн
250+ 173 грн
Мінімальне замовлення: 66
MJE5852GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.9 грн
10+ 191.08 грн
100+ 131.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товару немає в наявності
MJE5852GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.64 грн
3+ 200.35 грн
6+ 159.69 грн
15+ 150.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE5852GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+287.57 грн
3+ 249.66 грн
6+ 191.62 грн
15+ 180.98 грн
250+ 173.88 грн
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+252.6 грн
53+ 233.94 грн
69+ 178.84 грн
100+ 160.56 грн
250+ 146.49 грн
400+ 109.68 грн
Мінімальне замовлення: 49
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5852G
Код товару: 115058		Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+234.56 грн
10+ 217.23 грн
50+ 166.07 грн
100+ 149.09 грн
250+ 136.03 грн
400+ 101.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5852GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.58 грн
10+ 222 грн
50+ 174.59 грн
100+ 136.27 грн
400+ 106.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
MJE5852GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+167.84 грн
10+ 161.37 грн
50+ 139.08 грн
100+ 128.54 грн
250+ 117.99 грн
400+ 99.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE6040
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE6043
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE6044
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE6353INTELQFP
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE700MOT2002 TO-126
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE700ON SemiconductorDarlington Transistors 4A 60V Bipolar
товару немає в наявності
MJE700Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 60V 4A TO225AA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE700-STU
на замовлення 37200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE700GON SemiconductorDarlington Transistors 4A 60V Bipolar Power PNP
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE700GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
товару немає в наявності
MJE700GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE700GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
товару немає в наявності
MJE700GMJE702G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE700STUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE701-Y
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE701STUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE702Rochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 80V 4A TO225AA
товару немає в наявності
MJE702onsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar
товару немає в наявності
MJE702GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 199
MJE702GonsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
MJE702GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE702GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
MJE702GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE702STUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE702STUonsemi / FairchildDarlington Transistors PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor
товару немає в наявності
MJE703onsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar
товару немає в наявності
MJE703ON09+
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE703onsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
MJE703GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 9939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
788+26.6 грн
Мінімальне замовлення: 788
MJE703GonsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MJE703GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
товару немає в наявності
MJE703GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
товару немає в наявності