Продукція > ONSEMI > MJE5730G
MJE5730G

MJE5730G ONSEMI

1916280.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+100.30 грн
10+77.67 грн
100+74.43 грн
500+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5730G ONSEMI

Description: ONSEMI - MJE5730G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції MJE5730G за ціною від 34.11 грн до 109.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJE5730G MJE5730G Виробник : onsemi mje5730-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.17 грн
50+53.53 грн
100+48.44 грн
500+36.90 грн
1000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5730G MJE5730G Виробник : onsemi MJE5730_D-2316289.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.80 грн
10+59.14 грн
100+44.70 грн
500+37.78 грн
1000+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE5730G Виробник : ON mje5730-d.pdf 05+06+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJE5730G
Код товару: 171586
Додати до обраних Обраний товар

mje5730-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
MJE5730G MJE5730G Виробник : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності