MJE702G ON Semiconductor
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 56.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE702G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції MJE702G за ціною від 60.66 грн до 60.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJE702G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
MJE702G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||
MJE702G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
товар відсутній |
||||||
MJE702G | Виробник : onsemi | Darlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP |
товар відсутній |