![MJE15035G MJE15035G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2011/6/21/4/7/14/535/ons_/manual/to-220-3.jpg)
MJE15035G ON Semiconductor
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15035G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15035G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 4 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJE15035G за ціною від 41.3 грн до 129 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 4A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 3081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 4A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE15035G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
MJE15035G | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |