MJE350G ON Semiconductor
на замовлення 24160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 18.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE350G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE350G за ціною від 10.55 грн до 80.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO225 Current gain: 30...240 Mounting: THT Kind of package: bulk |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO225 Current gain: 30...240 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 623 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 24160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 24160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 20W PNP |
на замовлення 21465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE350G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 300 V, 500 mA, 20 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 4548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 16272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE350; MJE350STU; KSE350; KSE350STU; MJE350G JSMICRO TMJE350 JSM кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 20; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = вивідний; hFE = 30 (при 50 мА, 10 В); Тексп, °С = -65...+150; TO-225AA |
на замовлення 60 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 MJE350G ONS TMJE350g ONS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MJE350G Код товару: 112488 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
MJE350G | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |