![MJE243G MJE243G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/158262e5c1667dc619e02acb9e952cc4f1d457bc/mje344.jpg)
MJE243G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
230+ | 52.68 грн |
323+ | 37.47 грн |
500+ | 30.32 грн |
1000+ | 23.35 грн |
2500+ | 19.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE243G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE243G за ціною від 16.61 грн до 68.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE243G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 2018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJE243G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 15...180 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MJE243G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 15...180 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40MHz |
товар відсутній |