MJE5852G ON Semiconductor
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE5852G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MJxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE5852G за ціною від 97.49 грн до 261.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE5852G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 400V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE5852G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W PNP |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE5852G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE5852G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MJxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE5852G Код товару: 115058 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJE5852G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJE5852G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube |
товар відсутній |