MJE15028G ON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 45.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE15028G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJE15028G за ціною від 37.42 грн до 119.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE15028G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15028G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 120V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 4319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE15028G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15028G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE15028G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE15028G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
MJE15028G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |