MJE253G ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 15...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 42.22 грн |
| 34+ | 25.05 грн |
| 93+ | 23.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE253G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE253G за ціною від 17.94 грн до 60.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE253G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 15...180 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 40MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE253G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 5195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE253G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP |
на замовлення 14704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJE253G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJE253G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJE253G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJE253G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товар відсутній |