MJE13007G

MJE13007G ON Semiconductor


mje13007-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 33.75 грн до 108.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
171+70.84 грн
204+ 59.38 грн
500+ 51.03 грн
Мінімальне замовлення: 171
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+78.35 грн
10+ 65.89 грн
100+ 55.22 грн
500+ 45.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI MJE13007G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+82.09 грн
10+ 65.34 грн
18+ 50.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+87.39 грн
10+ 71.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi mje13007-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 14MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.71 грн
50+ 69.81 грн
100+ 55.32 грн
500+ 44.01 грн
1000+ 35.85 грн
2000+ 33.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE13007G MJE13007G Виробник : onsemi MJE13007_D-2315785.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN
на замовлення 5152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.75 грн
10+ 77.5 грн
100+ 52.97 грн
500+ 44.88 грн
1000+ 35.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI MJE13007G.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 80W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.51 грн
10+ 81.42 грн
18+ 60.11 грн
48+ 56.62 грн
250+ 54.88 грн
500+ 54.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJE13007G MJE13007G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014832360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+108.67 грн
10+ 82.09 грн
100+ 60.59 грн
500+ 47.69 грн
1000+ 34.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJE13007G MJE13007G Виробник : ON Semiconductor mje13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній