![MJE13007G MJE13007G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2011/6/21/4/7/14/535/ons_/manual/to-220-3.jpg)
MJE13007G ON Semiconductor
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 33.75 грн до 108.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE13007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Type of transistor: NPN |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
MJE13007G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |