Інші пропозиції MJE4353G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE4353G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
MJE4353G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-218-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 750µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: SOT-93 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 125 W |
товар відсутній |
|
![]() |
MJE4353G | Виробник : onsemi |
![]() |
товар відсутній |