MJE182G ON Semiconductor
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 26.27 грн |
| 1000+ | 22.21 грн |
| 3000+ | 21.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE182G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE182G за ціною від 10.79 грн до 79.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE182G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 3A TO126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE182G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 12.5W NPN |
на замовлення 8294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE182G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 15W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 12...250 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE182G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE182G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 13513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE182G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 15W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: TO225 Current gain: 12...250 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJE182G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 3A 80V 12.5W 50MHz MJE182 TO126 TMJE182 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
.JPG "MJE182G") |
MJE182G Код товару: 62118 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
MJE182G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MJE182G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |