![MJE170G MJE170G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/158262e5c1667dc619e02acb9e952cc4f1d457bc/mje344.jpg)
MJE170G ON Semiconductor
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 34.42 грн |
19+ | 32.69 грн |
100+ | 28.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE170G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE170G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE170G за ціною від 21.05 грн до 66.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE170G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MJE170G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MJE170G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MJE170G Код товару: 161611 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
MJE170G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |