MJE180G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 66.92 грн |
| 16+ | 51.83 грн |
| 100+ | 37.21 грн |
| 500+ | 29.18 грн |
| 1000+ | 21.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE180G ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE180G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MJE180G за ціною від 26.38 грн до 74.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE180G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 3A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 4104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE180G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 12.5W NPN |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MJE180G | Виробник : On Semiconductor |
NPN, Uce=40V, Ic=3A, hFE=50...250, -60...+150, TO-225AA (TO-126-3) |
на замовлення 3550 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
MJE180G Код товару: 161612 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
MJE180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MJE180G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 3A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товар відсутній |