MJE5730


mje5730-d.pdf Виробник:

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5730

Description: TRANS PNP 300V 1A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 40 W.

Інші пропозиції MJE5730

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE5730 MJE5730 Виробник : onsemi mje5730-d.pdf Description: TRANS PNP 300V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
MJE5730 MJE5730 Виробник : onsemi MJE5730_D-2316289.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
товар відсутній