Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (19931) > Сторінка 78 з 333

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 99 132 165 198 231 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXBT20N300HV IXBT20N300HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbt20n300hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3000V 50A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IXYP15N65C3D1M IXYP15N65C3D1M IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyp15n65c3d1m_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 16A 48W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товар відсутній
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyp20n65c3d1m_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 18A 50W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 50 W
товар відсутній
IXYT30N65C3H1HV IXYT30N65C3H1HV IXYS DS100545A(IXYT-H30N65C3H1_HV).pdf Description: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
товар відсутній
IXYH50N65C3 IXYH50N65C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_50n65c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 130A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
товар відсутній
IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT PT 650V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.45 грн
30+ 529.17 грн
IXYN100N65C3H1 IXYN100N65C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n65c3h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
товар відсутній
DSI30-12AS-TRL DSI30-12AS-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=af403ce7-7a1d-4324-8513-6c5e115ae6e5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-12AS-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 5598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.23 грн
10+ 199.71 грн
100+ 161.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
DSI30-16AS-TRL DSI30-16AS-TRL IXYS DSI30-16AS.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.16 грн
1600+ 122.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXYA50N65C3 IXYA50N65C3 IXYS DS100552C(IXYA-P-H50N65C3).pdf Description: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n65c3h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 130A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.72 грн
30+ 648.2 грн
120+ 610.09 грн
510+ 518.87 грн
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_50n65c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 130A 600W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.81 грн
50+ 419.3 грн
100+ 375.15 грн
CS1710 IXYS Description: THYRISTOR 2200V
товар відсутній
DNA30E2200PZ-TRL DNA30E2200PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+170.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DNA30E2200PZ-TRL DNA30E2200PZ-TRL IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.73 грн
10+ 294.94 грн
100+ 238.59 грн
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ IXYS DNA30EM2200PZ.pdf Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DLA5P800UC DLA5P800UC IXYS DLA5P800UC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товар відсутній
DLA5P800UC DLA5P800UC IXYS DLA5P800UC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товар відсутній
IXYA8N90C3D1 IXYA8N90C3D1 IXYS product_brief_900V_XPT_IGBTs.pdf Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
IXYH24N90C3D1 IXYH24N90C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n90c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 900V 44A 200W C3 TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+690.55 грн
IXYH60N90C3 IXYH60N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.99 грн
10+ 494.88 грн
IXYN80N90C3H1 IXYN80N90C3H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn80n90c3h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товар відсутній
IXYY8N90C3 IXYY8N90C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n90c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.2 грн
70+ 176.65 грн
140+ 151.41 грн
560+ 126.31 грн
1050+ 108.15 грн
2030+ 101.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
MMJX1H40N150 MMJX1H40N150 IXYS DS100594C(MMJX1H40N150).pdf Description: SCR 1.5KV 40A SMPD
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMIX1H60N150V1 MMIX1H60N150V1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet Description: SCR 1.5KV 60A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4079.23 грн
20+ 3571.26 грн
100+ 3214.11 грн
IXHH40N150HV IXHH40N150HV IXYS DS100611A(IXHH40N150HV).pdf Description: SCR 1.5KV 40A TO247HV
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2058.69 грн
10+ 1828.14 грн
100+ 1561.14 грн
IXHX40N150V1HV IXHX40N150V1HV IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet Description: SCR 1.5KV TO247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4218.87 грн
30+ 3569.79 грн
120+ 3323.59 грн
IXBF20N360 IXBF20N360 IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n360_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5019.3 грн
25+ 4229.26 грн
100+ 3927.19 грн
IXBL60N360 IXBL60N360 IXYS DS100577(IXBL60N360).pdf Description: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товар відсутній
IXBF50N360 IXBF50N360 IXYS DS100623(IXBF50N360)_.pdf Description: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBX50N360HV IXBX50N360HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx50n360hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4952.92 грн
10+ 4322.65 грн
100+ 3875.46 грн
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ-TRL IXYS CLA30MT1200NPZ.pdf Description: THYRISTOR PHASE THRU TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.28 грн
10+ 380.25 грн
100+ 311.58 грн
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ-TRL IXYS CLA40MT1200NPZ.pdf Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товар відсутній
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ-TRL IXYS CLA30MT1200NPZ.pdf Description: THYRISTOR PHASE THRU TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ-TRL IXYS CLA40MT1200NPZ.pdf Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товар відсутній
CLA30MT1200NPB CLA30MT1200NPB IXYS CLA30MT1200NPB.pdf Description: THYRISTOR PHASE TO220
товар відсутній
CLA40MT1200NPB CLA40MT1200NPB IXYS CLA40MT1200NPB.pdf Description: THYRISTOR PHASE TO220
товар відсутній
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB IXYS CLA80MT1200NHB.pdf Description: TRIAC 1.2KV 88A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 70 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 480A, 520A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.7 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 88 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+676.82 грн
30+ 520.74 грн
120+ 465.94 грн
510+ 385.82 грн
1020+ 347.24 грн
CLA80MT1200NHR CLA80MT1200NHR IXYS CLA80MT1200NHR.pdf Description: THYRISTOR PHASE ISO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 70 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 480A, 520A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.7 V
Supplier Device Package: ISO247
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 88 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товар відсутній
IXTH02N450HV IXTH02N450HV IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1799.26 грн
30+ 1436.6 грн
120+ 1346.83 грн
DPG30C300PC DPG30C300PC IXYS DPG30C300PC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTH1N200P3 IXTH1N200P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.33 грн
30+ 464.8 грн
120+ 415.87 грн
510+ 344.36 грн
IXYP10N65C3D1 IXYP10N65C3D1 IXYS 650V_XPT_IGBTs_Product_Brief.pdf Description: IGBT PT 650V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
товар відсутній
IXRFD631 IXRFD631 IXYS IXRFD631_Datasheet_RevA.pdf Description: IC MOSFET DVR RF 30A LOW DCB
товар відсутній
IXBH20N360HV IXBH20N360HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n360hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3600V 70A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7473.25 грн
IXBT20N360HV IXBT20N360HV IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n360hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3600V 70A TO-268HV
товар відсутній
SLPN005H10L IXYS SLPN005H10L.pdf Description: SOLARPN HI-EFF 223X143X2MM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SLMD242H10L IXYS SLMD242H10L.pdf Description: SOLARMD HI-EFF 214.5X131.6X2MM
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SOLARADE SOLARADE IXYS SOLARADE_Brochure.PDF Description: BATT CHARGER SOLAR CHARGER 5V 1A
товар відсутній
IXTP20N65XM IXTP20N65XM IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp20n65xm_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+601.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTP32N65XM IXTP32N65XM IXYS DS100589D(IXTP32N65XM).pdf Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTP20N65X IXTP20N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+459.05 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.02 грн
30+ 552.07 грн
120+ 493.96 грн
510+ 409.03 грн
IXTA20N65X IXTA20N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTP32N65X IXTP32N65X IXYS DS100585D(IXTP-TQ-TH32N65X).pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTQ32N65X IXTQ32N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
товар відсутній
IXTH32N65X IXTH32N65X IXYS DS100585D(IXTP-TQ-TH32N65X).pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTH52N65X IXTH52N65X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth52n65x_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 52A TO247
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBT20N300HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbt20n300hv_datasheet.pdf.pdf
IXBT20N300HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3000V 50A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.35 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Gate Charge: 105 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 250 W
товар відсутній
IXYP15N65C3D1M littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyp15n65c3d1m_datasheet.pdf.pdf
IXYP15N65C3D1M
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 16A 48W TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/68ns
Switching Energy: 270µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 48 W
товар відсутній
IXYP20N65C3D1M littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyp20n65c3d1m_datasheet.pdf.pdf
IXYP20N65C3D1M
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 18A 50W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 50 W
товар відсутній
IXYT30N65C3H1HV DS100545A(IXYT-H30N65C3H1_HV).pdf
IXYT30N65C3H1HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
товар відсутній
IXYH50N65C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_50n65c3_datasheet.pdf.pdf
IXYH50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 130A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
товар відсутній
IXyH100N65C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65c3_datasheet.pdf.pdf
IXyH100N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+655.45 грн
30+ 529.17 грн
IXYN100N65C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn100n65c3h1_datasheet.pdf.pdf
IXYN100N65C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
товар відсутній
DSI30-12AS-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=af403ce7-7a1d-4324-8513-6c5e115ae6e5&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DSI30-12AS-Datasheet
DSI30-12AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 5598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.23 грн
10+ 199.71 грн
100+ 161.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
DSI30-16AS-TRL DSI30-16AS.pdf
DSI30-16AS-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO263AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.29 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+149.16 грн
1600+ 122.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXYA50N65C3 DS100552C(IXYA-P-H50N65C3).pdf
IXYA50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 130A 600W TO263
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXYH50N65C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh50n65c3h1_datasheet.pdf.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 130A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+831.72 грн
30+ 648.2 грн
120+ 610.09 грн
510+ 518.87 грн
IXYP50N65C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_50n65c3_datasheet.pdf.pdf
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 130A 600W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+544.81 грн
50+ 419.3 грн
100+ 375.15 грн
CS1710
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR 2200V
товар відсутній
DNA30E2200PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet
DNA30E2200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+170.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DNA30E2200PZ-TRL media?resourcetype=datasheets&itemid=15a76a8f-64ce-441e-839f-231a223f6827&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200PZ-Datasheet
DNA30E2200PZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 6026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+364.73 грн
10+ 294.94 грн
100+ 238.59 грн
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DNA30EM2200PZ DNA30EM2200PZ.pdf
DNA30EM2200PZ
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DLA5P800UC DLA5P800UC.pdf
DLA5P800UC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товар відсутній
DLA5P800UC DLA5P800UC.pdf
DLA5P800UC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 800V 5A TO252
товар відсутній
IXYA8N90C3D1 product_brief_900V_XPT_IGBTs.pdf
IXYA8N90C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-263AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
товар відсутній
IXYH24N90C3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh24n90c3d1_datasheet.pdf.pdf
IXYH24N90C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 44A 200W C3 TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/73ns
Switching Energy: 1.35mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 450V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+690.55 грн
IXYH60N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh60n90c3_datasheet.pdf.pdf
IXYH60N90C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/87ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 450V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 310 A
Power - Max: 750 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+598.99 грн
10+ 494.88 грн
IXYN80N90C3H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn80n90c3h1_datasheet.pdf.pdf
IXYN80N90C3H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 115 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.55 nF @ 25 V
товар відсутній
IXYY8N90C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_8n90c3_datasheet.pdf.pdf
IXYY8N90C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/40ns
Switching Energy: 460µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 450V, 8A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 13.3 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.2 грн
70+ 176.65 грн
140+ 151.41 грн
560+ 126.31 грн
1050+ 108.15 грн
2030+ 101.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
MMJX1H40N150 DS100594C(MMJX1H40N150).pdf
MMJX1H40N150
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV 40A SMPD
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMIX1H60N150V1 media?resourcetype=datasheets&itemid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet
MMIX1H60N150V1
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV 60A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4079.23 грн
20+ 3571.26 грн
100+ 3214.11 грн
IXHH40N150HV DS100611A(IXHH40N150HV).pdf
IXHH40N150HV
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV 40A TO247HV
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2058.69 грн
10+ 1828.14 грн
100+ 1561.14 грн
IXHX40N150V1HV media?resourcetype=datasheets&itemid=6441d34d-64f5-4878-906c-789fb271fd7a&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-IXHX40N150V1HV-Datasheet
IXHX40N150V1HV
Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV TO247PLUS-HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4218.87 грн
30+ 3569.79 грн
120+ 3323.59 грн
IXBF20N360 littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbf20n360_datasheet.pdf.pdf
IXBF20N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5019.3 грн
25+ 4229.26 грн
100+ 3927.19 грн
IXBL60N360 DS100577(IXBL60N360).pdf
IXBL60N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK
товар відсутній
IXBF50N360 DS100623(IXBF50N360)_.pdf
IXBF50N360
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXBX50N360HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx50n360hv_datasheet.pdf.pdf
IXBX50N360HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4952.92 грн
10+ 4322.65 грн
100+ 3875.46 грн
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ.pdf
CLA30MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE THRU TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.28 грн
10+ 380.25 грн
100+ 311.58 грн
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ.pdf
CLA40MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товар відсутній
CLA30MT1200NPZ-TRL CLA30MT1200NPZ.pdf
CLA30MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE THRU TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 170A, 185A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 33 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
CLA40MT1200NPZ-TRL CLA40MT1200NPZ.pdf
CLA40MT1200NPZ-TRL
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 44A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 200A, 215A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-263HV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 44 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товар відсутній
CLA30MT1200NPB CLA30MT1200NPB.pdf
CLA30MT1200NPB
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE TO220
товар відсутній
CLA40MT1200NPB CLA40MT1200NPB.pdf
CLA40MT1200NPB
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE TO220
товар відсутній
CLA80MT1200NHB CLA80MT1200NHB.pdf
CLA80MT1200NHB
Виробник: IXYS
Description: TRIAC 1.2KV 88A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 70 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 480A, 520A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.7 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 88 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
на замовлення 3580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+676.82 грн
30+ 520.74 грн
120+ 465.94 грн
510+ 385.82 грн
1020+ 347.24 грн
CLA80MT1200NHR CLA80MT1200NHR.pdf
CLA80MT1200NHR
Виробник: IXYS
Description: THYRISTOR PHASE ISO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 70 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 70 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 480A, 520A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.7 V
Supplier Device Package: ISO247
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 88 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товар відсутній
IXTH02N450HV littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_02n450hv_datasheet.pdf.pdf
IXTH02N450HV
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1799.26 грн
30+ 1436.6 грн
120+ 1346.83 грн
DPG30C300PC DPG30C300PC.pdf
DPG30C300PC
Виробник: IXYS
Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO263
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTH1N200P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n200p3_datasheet.pdf.pdf
IXTH1N200P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+604.33 грн
30+ 464.8 грн
120+ 415.87 грн
510+ 344.36 грн
IXYP10N65C3D1 650V_XPT_IGBTs_Product_Brief.pdf
IXYP10N65C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/77ns
Switching Energy: 240µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 54 A
Power - Max: 160 W
товар відсутній
IXRFD631 IXRFD631_Datasheet_RevA.pdf
IXRFD631
Виробник: IXYS
Description: IC MOSFET DVR RF 30A LOW DCB
товар відсутній
IXBH20N360HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n360hv_datasheet.pdf.pdf
IXBH20N360HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 70A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247HV
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/238ns
Switching Energy: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
Test Condition: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 430 W
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7473.25 грн
IXBT20N360HV littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixb_20n360hv_datasheet.pdf.pdf
IXBT20N360HV
Виробник: IXYS
Description: IGBT 3600V 70A TO-268HV
товар відсутній
SLPN005H10L SLPN005H10L.pdf
Виробник: IXYS
Description: SOLARPN HI-EFF 223X143X2MM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SLMD242H10L SLMD242H10L.pdf
Виробник: IXYS
Description: SOLARMD HI-EFF 214.5X131.6X2MM
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SOLARADE SOLARADE_Brochure.PDF
SOLARADE
Виробник: IXYS
Description: BATT CHARGER SOLAR CHARGER 5V 1A
товар відсутній
IXTP20N65XM littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp20n65xm_datasheet.pdf.pdf
IXTP20N65XM
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+601.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTP32N65XM DS100589D(IXTP32N65XM).pdf
IXTP32N65XM
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO-220
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTP20N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTP20N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+459.05 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTH20N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+718.02 грн
30+ 552.07 грн
120+ 493.96 грн
510+ 409.03 грн
IXTA20N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTP32N65X DS100585D(IXTP-TQ-TH32N65X).pdf
IXTP32N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTQ32N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_32n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTQ32N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
товар відсутній
IXTH32N65X DS100585D(IXTP-TQ-TH32N65X).pdf
IXTH32N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTH52N65X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth52n65x_datasheet.pdf.pdf
IXTH52N65X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 52A TO247
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 99 132 165 198 231 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]