IXBX50N360HV

IXBX50N360HV LITTELFUSE


littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx50n360hv_datasheet.pdf.pdf Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BiMOSFET Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4790.87 грн
5+ 4491.39 грн
10+ 4191.92 грн
50+ 3798.35 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXBX50N360HV LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції IXBX50N360HV за ціною від 3617.91 грн до 5142.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXBX50N360HV IXBX50N360HV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx50n360hv_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns
Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 660 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4881.48 грн
10+ 4260.31 грн
100+ 3819.56 грн
IXBX50N360HV IXBX50N360HV Виробник : IXYS media-3321725.pdf IGBT Transistors 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5142.29 грн
10+ 4896.14 грн
30+ 3879.31 грн
60+ 3875.14 грн
120+ 3617.91 грн
IXBX50N360HV IXBX50N360HV Виробник : Littelfuse lfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx50n360hv_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 3600V 125A 660000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247PLUS-HV
товар відсутній
IXBX50N360HV Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_bimosfet_ixbx50n360hv_datasheet.pdf.pdf IXBX50N360HV THT IGBT transistors
товар відсутній