Продукція > IXYS > MMIX1H60N150V1
MMIX1H60N150V1

MMIX1H60N150V1 IXYS


media?resourcetype=datasheets&itemid=c2eb9caa-b966-4fbd-a662-234ddc74b761&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-MMIX1H60N150V1-Datasheet Виробник: IXYS
Description: SCR 1.5KV 60A 24SMPD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 24-SMPD
Voltage - Off State: 1.5 kV
на замовлення 170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4030.2 грн
20+ 3528.34 грн
100+ 3175.48 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMIX1H60N150V1 IXYS

Category: SMD/THT thyristors, Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 32kA, Type of thyristor: thyristor, Max. off-state voltage: 1.5kV, Case: SMPD, Mounting: SMD, Max. forward impulse current: 32kA, Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT), кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MMIX1H60N150V1 за ціною від 4002.44 грн до 4466.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMIX1H60N150V1 MMIX1H60N150V1 Виробник : IXYS media-3323102.pdf SCRs SCR SMPD24 1.5KV THY
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4466.98 грн
10+ 4002.44 грн
MMIX1H60N150V1 MMIX1H60N150V1 Виробник : Littelfuse ds100595ammix1h60n150v1.pdf SCR Diode 1500V 32000A 21-Pin SMPD
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMIX1H60N150V1 Виробник : IXYS MMIX1H60N150V1.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 32kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: SMPD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMIX1H60N150V1 Виробник : IXYS MMIX1H60N150V1.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.5kV; SMPD; SMD; 32kA
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.5kV
Case: SMPD
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 32kA
Features of semiconductor devices: freewheelling diode; MOS-gated thyristor (MGT)
товар відсутній