![IXyH100N65C3 IXyH100N65C3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/202/TO-247-AD-EP-%28H%29.jpg)
IXyH100N65C3 IXYS
![littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65c3_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT PT 650V 200A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 646 грн |
30+ | 521.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXyH100N65C3 IXYS
Description: IGBT PT 650V 200A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns, Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A, Power - Max: 830 W.
Інші пропозиції IXyH100N65C3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXYH100N65C3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXYH100N65C3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXyH100N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 100A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 420A Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
IXyH100N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IXyH100N65C3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 100A Power dissipation: 830W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 420A Mounting: THT Gate charge: 172nC Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 200ns |
товар відсутній |