Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5702) > Сторінка 73 з 96
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
KBP201G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GBPC3506W | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R60MT07K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R60MT07K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BR305 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MURH10060 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
GA01SHT18 | GeneSiC Semiconductor | GA01SHT18 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
KBL608G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N6096 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GBU4M | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FR30G02 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MBR400100CT | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBR50045CT | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GC08MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N3294A | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MBRT500150 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
KBJ2508G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
KBU1010 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N1188 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
KBL608G | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BR108 | GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
GA01PNS150-201 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
![]() Bauform - Diode: DO-201 Diodenkonfiguration: Einfach MSL: MSL 1 - unbegrenzt Durchbruchspannung Vbr: - Anzahl der Pins: 2 Pins Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 Widerstand bei If: - Gesamtkapazität Ct: 22 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GB01SLT06-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
![]() Kapazitive Gesamtladung: 7 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товар відсутній |
GBPC3506W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 600V 35A 4-Pin Case GBPC-W
товар відсутній
G3R60MT07K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R60MT07K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 4959.02 грн |
10+ | 4621.5 грн |
30+ | 4474.44 грн |
120+ | 4137.97 грн |
G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R12MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4604.8 грн |
10+ | 4291.4 грн |
30+ | 4154.84 грн |
120+ | 3842.4 грн |
BR305 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 3A 4-Pin Case BR-3
Rectifier Bridge Diode Single 50V 3A 4-Pin Case BR-3
товар відсутній
G3R60MT07J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R60MT07J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 316.62 грн |
G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 398.91 грн |
33+ | 370.86 грн |
34+ | 356.64 грн |
100+ | 324.37 грн |
250+ | 278.46 грн |
500+ | 242.6 грн |
G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 294 грн |
G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 370.41 грн |
10+ | 344.37 грн |
25+ | 331.16 грн |
100+ | 301.2 грн |
250+ | 258.57 грн |
500+ | 225.27 грн |
GC10MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
43+ | 282.21 грн |
45+ | 270.08 грн |
50+ | 259.8 грн |
100+ | 242.02 грн |
250+ | 217.29 грн |
G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 574.9 грн |
G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 533.83 грн |
10+ | 460.93 грн |
30+ | 433.09 грн |
120+ | 400.72 грн |
270+ | 356.78 грн |
MURH10060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67
Rectifier Diode Switching Si 600V 100A 110ns 2-Pin(2+Tab) Case D-67
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 5764.77 грн |
GA01SHT18 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GA01SHT18
GA01SHT18
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 2575.29 грн |
7+ | 1913.06 грн |
G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 492.29 грн |
26+ | 471.13 грн |
50+ | 453.18 грн |
100+ | 422.17 грн |
250+ | 379.04 грн |
500+ | 353.98 грн |
1000+ | 345.32 грн |
2500+ | 337.7 грн |
KBL608G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24000+ | 36.1 грн |
25000+ | 35.93 грн |
30000+ | 35.56 грн |
GB01SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товар відсутній
GB01SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товар відсутній
GD50MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1258.2 грн |
11+ | 1106.4 грн |
30+ | 1046.37 грн |
GD50MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1168.33 грн |
10+ | 1027.37 грн |
30+ | 971.63 грн |
G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 301.67 грн |
500+ | 290.66 грн |
GBU4M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBU
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBU
товар відсутній
BR1005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 10A 4-Pin Case BR-10
Rectifier Bridge Diode Single 50V 10A 4-Pin Case BR-10
товар відсутній
FR30G02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 400V 30A 200ns 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 400V 30A 200ns 2-Pin DO-5
товар відсутній
GBJ15M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товар відсутній
MBR400100CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 11468.9 грн |
GB10MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
600+ | 777.76 грн |
GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
G2R1000MT33J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 1492.29 грн |
10+ | 1342.82 грн |
25+ | 1273.71 грн |
100+ | 1144.53 грн |
250+ | 1048.98 грн |
500+ | 929.19 грн |
MBR50045CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower
товар відсутній
GC08MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
56+ | 215.58 грн |
59+ | 207.37 грн |
100+ | 200.33 грн |
1N3294A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 100A 2-Pin DO-8
Rectifier Diode Switching 800V 100A 2-Pin DO-8
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 1371.24 грн |
G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 617.97 грн |
G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 620.32 грн |
G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 1350.55 грн |
10+ | 1309.33 грн |
G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 623.35 грн |
21+ | 577.63 грн |
30+ | 558.34 грн |
120+ | 522.98 грн |
270+ | 472.12 грн |
510+ | 443.45 грн |
G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 578.83 грн |
10+ | 536.37 грн |
30+ | 518.46 грн |
120+ | 485.62 грн |
270+ | 438.39 грн |
510+ | 411.77 грн |
KBJ2508G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBJ
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBJ
товар відсутній
KBU1010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 10A 4-Pin Case KBU
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 10A 4-Pin Case KBU
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16000+ | 55.47 грн |
1N1188 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-5
Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-5
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 1039.16 грн |
200+ | 968.27 грн |
400+ | 914.55 грн |
600+ | 841.68 грн |
KBL608G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 83.89 грн |
BR108 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
товар відсутній
GA01PNS150-201 |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33791.88 грн |
GB01SLT06-214 |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній