G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 578.83 грн |
| 10+ | 536.37 грн |
| 30+ | 518.46 грн |
| 120+ | 485.62 грн |
| 270+ | 438.39 грн |
| 510+ | 411.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 207W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R75MT12K за ціною від 443.45 грн до 1350.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3R75MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R75MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 207W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R75MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R75MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 207W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 54nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 80A Case: TO247-4 |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R75MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 29A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 207W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 54nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 80A Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 529 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R75MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| G3R75MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
G3R75MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |