Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5702) > Сторінка 36 з 96

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 45 54 63 72 81 90 96  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
1N3880R GeneSiC Semiconductor 1n3879.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
товар відсутній
1N3882R GeneSiC Semiconductor 1n3879.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
товар відсутній
GBPC15005T GeneSiC Semiconductor gbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
GBPC15005W GBPC15005W GeneSiC Semiconductor gbpc15005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
KBP206G KBP206G GeneSiC Semiconductor kbp206g.pdf description Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
товар відсутній
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1262.1 грн
10+ 1097.04 грн
25+ 1053.08 грн
100+ 929.29 грн
250+ 892.49 грн
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1233.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1596.63 грн
10+ 1397.66 грн
25+ 1345.12 грн
100+ 1191.55 грн
250+ 1147.31 грн
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+382.54 грн
1600+ 356.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.4 грн
10+ 440.68 грн
25+ 422.45 грн
100+ 372.35 грн
250+ 356.49 грн
GBU4A GBU4A GeneSiC Semiconductor gbu4a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.64 грн
10+ 69.41 грн
25+ 60.45 грн
100+ 45.88 грн
250+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
KBPC1506W KBPC1506W GeneSiC Semiconductor kbpc1506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A KBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
GBPC5004W GBPC5004W GeneSiC Semiconductor gbpc50005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
GBJ35M GeneSiC Semiconductor gbj35j.pdf Description: 1000V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
MSRT20080D GeneSiC Semiconductor MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Packaging: Bulk
товар відсутній
GBJ15M GeneSiC Semiconductor gbj15k.pdf Description: 1000V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
GBJ6M GeneSiC Semiconductor gbj6j.pdf Description: 1000V 6A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
товар відсутній
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1707.64 грн
10+ 1496.43 грн
25+ 1441.62 грн
100+ 1278.28 грн
250+ 1231.32 грн
GBPC1510W GBPC1510W GeneSiC Semiconductor gbpc1506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
KBP204G KBP204G GeneSiC Semiconductor kbp201g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
1N3671AR 1N3671AR GeneSiC Semiconductor 1n3671a.pdf Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
1N3673A 1N3673A GeneSiC Semiconductor 1n3671a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
товар відсутній
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.51 грн
10+ 496.98 грн
25+ 477.12 грн
100+ 420.73 грн
250+ 404 грн
GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111 грн
10+ 75.56 грн
25+ 65.69 грн
100+ 49.85 грн
250+ 43.31 грн
500+ 38.96 грн
1000+ 34.47 грн
2500+ 29.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
DB154G GeneSiC Semiconductor db151g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.96 грн
10+ 52.79 грн
25+ 43.64 грн
100+ 30.62 грн
250+ 25.31 грн
500+ 21.91 грн
1000+ 18.65 грн
2500+ 15.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
GBL06 GBL06 GeneSiC Semiconductor gbl06.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.56 грн
10+ 64.65 грн
25+ 55.82 грн
100+ 41.93 грн
250+ 36.22 грн
500+ 32.41 грн
1000+ 28.51 грн
2500+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
товар відсутній
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1306.96 грн
10+ 1138.34 грн
25+ 1093.21 грн
100+ 965.26 грн
250+ 927.32 грн
GBU4M GeneSiC Semiconductor gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
GBU6M GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
KBL406G GeneSiC Semiconductor kbl406g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
GBU4K GeneSiC Semiconductor gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
KBP210G KBP210G GeneSiC Semiconductor kbp206g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
GBJ25K GeneSiC Semiconductor gbj25m.pdf Description: 800V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
GBU8M GeneSiC Semiconductor gbu8j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
GBPC2501W GBPC2501W GeneSiC Semiconductor gbpc25005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
KBU8G KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8g-2450729.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.58 грн
10+ 101.84 грн
25+ 79.42 грн
100+ 66.7 грн
250+ 59.18 грн
400+ 49.69 грн
1200+ 44.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d-2450878.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.72 грн
10+ 83.25 грн
25+ 62.91 грн
100+ 50.89 грн
250+ 44.21 грн
500+ 39.71 грн
1000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
GBPC2502W GBPC2502W GeneSiC Semiconductor gbpc2502w-2450498.pdf Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.62 грн
10+ 251.38 грн
25+ 199.61 грн
100+ 172.9 грн
250+ 158.14 грн
500+ 147.6 грн
1000+ 143.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC2504T KBPC2504T GeneSiC Semiconductor kbpc2504t-2449960.pdf Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+327.18 грн
10+ 254.61 грн
25+ 171.5 грн
100+ 154.63 грн
250+ 150.41 грн
500+ 130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC3508W KBPC3508W GeneSiC Semiconductor kbpc3508w-2450654.pdf Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.22 грн
10+ 270.78 грн
25+ 215.07 грн
100+ 186.26 грн
250+ 170.09 грн
500+ 161.66 грн
GBU15G GBU15G GeneSiC Semiconductor gbu15g-2450371.pdf Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.94 грн
10+ 96.19 грн
25+ 73.1 грн
100+ 59.32 грн
250+ 51.8 грн
500+ 46.74 грн
1000+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
KBJ2510G KBJ2510G GeneSiC Semiconductor kbj2510g-2451110.pdf Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
товар відсутній
KBPC15005W KBPC15005W GeneSiC Semiconductor kbpc15005w-2450285.pdf Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.06 грн
10+ 243.29 грн
25+ 192.58 грн
100+ 165.87 грн
250+ 151.11 грн
500+ 141.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC1502W KBPC1502W GeneSiC Semiconductor kbpc1502w-2450890.pdf Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.06 грн
10+ 243.29 грн
25+ 192.58 грн
100+ 165.87 грн
250+ 151.11 грн
500+ 141.98 грн
1000+ 123.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC2501W KBPC2501W GeneSiC Semiconductor kbpc2501w-2450400.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+327.18 грн
10+ 254.61 грн
25+ 201.72 грн
100+ 174.31 грн
250+ 158.85 грн
500+ 130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC35005W KBPC35005W GeneSiC Semiconductor kbpc35005w-2451031.pdf Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.22 грн
10+ 270.78 грн
25+ 215.07 грн
100+ 186.26 грн
250+ 170.09 грн
500+ 161.66 грн
KBPC3501T KBPC3501T GeneSiC Semiconductor kbpc3501t-2451764.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.22 грн
10+ 270.78 грн
25+ 215.07 грн
100+ 186.26 грн
250+ 170.09 грн
500+ 161.66 грн
KBPC1501W KBPC1501W GeneSiC Semiconductor kbpc1501w-2451334.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
товар відсутній
KBJ2504G KBJ2504G GeneSiC Semiconductor kbj2504g-2450633.pdf Bridge Rectifiers 400V 25A Bridge Rectifier
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.86 грн
10+ 138.22 грн
25+ 108.24 грн
100+ 92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
W02M GeneSiC Semiconductor GCSR_S_A0000008482_1-2548870.pdf Bridge Rectifiers 200V 1.5A Bridge Rectifier
товар відсутній
GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8j-2450882.pdf Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.72 грн
10+ 83.25 грн
25+ 62.91 грн
100+ 50.89 грн
250+ 44.21 грн
500+ 39.71 грн
1000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
KBU1004 KBU1004 GeneSiC Semiconductor kbu1004-2451253.pdf Bridge Rectifiers 400V 10A Bridge Rectifier
товар відсутній
GBPC3508W GBPC3508W GeneSiC Semiconductor gbpc3508w-2450697.pdf Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.4 грн
10+ 274.82 грн
25+ 218.59 грн
100+ 190.47 грн
250+ 177.82 грн
500+ 166.58 грн
1000+ 162.36 грн
GBPC3510W GBPC3510W GeneSiC Semiconductor gbpc3510w-2449715.pdf Bridge Rectifiers 1000V 35A Si Bridge Rectifier
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.38 грн
10+ 244.91 грн
25+ 199.61 грн
100+ 177.82 грн
250+ 170.09 грн
500+ 162.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC5006T KBPC5006T GeneSiC Semiconductor kbpc5006t-2449797.pdf Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.52 грн
10+ 281.28 грн
25+ 223.51 грн
100+ 193.99 грн
250+ 190.47 грн
500+ 146.9 грн
1000+ 146.19 грн
KBPC3502W KBPC3502W GeneSiC Semiconductor kbpc3502w-2451250.pdf Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
товар відсутній
1N3880R 1n3879.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
товар відсутній
1N3882R 1n3879.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
товар відсутній
GBPC15005T gbpc15005t.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBPC
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
GBPC15005W gbpc15005t.pdf
GBPC15005W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товар відсутній
KBP206G description kbp206g.pdf
KBP206G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
товар відсутній
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1262.1 грн
10+ 1097.04 грн
25+ 1053.08 грн
100+ 929.29 грн
250+ 892.49 грн
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1233.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1596.63 грн
10+ 1397.66 грн
25+ 1345.12 грн
100+ 1191.55 грн
250+ 1147.31 грн
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+382.54 грн
1600+ 356.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+509.4 грн
10+ 440.68 грн
25+ 422.45 грн
100+ 372.35 грн
250+ 356.49 грн
GBU4A gbu4a.pdf
GBU4A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.64 грн
10+ 69.41 грн
25+ 60.45 грн
100+ 45.88 грн
250+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
KBPC1506W kbpc1506t.pdf
KBPC1506W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 15A KBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, KBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
GBPC5004W gbpc50005t.pdf
GBPC5004W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 50A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
GBJ35M gbj35j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 35A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
MSRT20080D MSRT20060%7E200100%28A%29.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Packaging: Bulk
товар відсутній
GBJ15M gbj15k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 15A GBJ SINGLE PHASE BRIDG
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
GBJ6M gbj6j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1000V 6A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
товар відсутній
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1707.64 грн
10+ 1496.43 грн
25+ 1441.62 грн
100+ 1278.28 грн
250+ 1231.32 грн
GBPC1510W gbpc1506t.pdf
GBPC1510W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
KBP204G kbp201g.pdf
KBP204G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
1N3671AR 1n3671a.pdf
1N3671AR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
1N3673A 1n3671a.pdf
1N3673A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товар відсутній
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
товар відсутній
G3R450MT17J-TR G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+572.51 грн
10+ 496.98 грн
25+ 477.12 грн
100+ 420.73 грн
250+ 404 грн
GBU8B gbu8a.pdf
GBU8B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111 грн
10+ 75.56 грн
25+ 65.69 грн
100+ 49.85 грн
250+ 43.31 грн
500+ 38.96 грн
1000+ 34.47 грн
2500+ 29.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
DB154G db151g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DB
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.96 грн
10+ 52.79 грн
25+ 43.64 грн
100+ 30.62 грн
250+ 25.31 грн
500+ 21.91 грн
1000+ 18.65 грн
2500+ 15.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
GBL06 gbl06.pdf
GBL06
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.56 грн
10+ 64.65 грн
25+ 55.82 грн
100+ 41.93 грн
250+ 36.22 грн
500+ 32.41 грн
1000+ 28.51 грн
2500+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
товар відсутній
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1306.96 грн
10+ 1138.34 грн
25+ 1093.21 грн
100+ 965.26 грн
250+ 927.32 грн
GBU4M gbu4j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
GBU6M gbu6j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
KBL406G kbl406g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
GBU4K gbu4j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
KBP210G kbp206g.pdf
KBP210G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
GBJ25K gbj25m.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 800V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
GBU8M gbu8j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
GBPC2501W gbpc25005t.pdf
GBPC2501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 50V 25A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товар відсутній
KBU8G kbu8g-2450729.pdf
KBU8G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.58 грн
10+ 101.84 грн
25+ 79.42 грн
100+ 66.7 грн
250+ 59.18 грн
400+ 49.69 грн
1200+ 44.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
GBU8D gbu8d-2450878.pdf
GBU8D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.72 грн
10+ 83.25 грн
25+ 62.91 грн
100+ 50.89 грн
250+ 44.21 грн
500+ 39.71 грн
1000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
GBPC2502W gbpc2502w-2450498.pdf
GBPC2502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+320.62 грн
10+ 251.38 грн
25+ 199.61 грн
100+ 172.9 грн
250+ 158.14 грн
500+ 147.6 грн
1000+ 143.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC2504T kbpc2504t-2449960.pdf
KBPC2504T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+327.18 грн
10+ 254.61 грн
25+ 171.5 грн
100+ 154.63 грн
250+ 150.41 грн
500+ 130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC3508W kbpc3508w-2450654.pdf
KBPC3508W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.22 грн
10+ 270.78 грн
25+ 215.07 грн
100+ 186.26 грн
250+ 170.09 грн
500+ 161.66 грн
GBU15G gbu15g-2450371.pdf
GBU15G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.94 грн
10+ 96.19 грн
25+ 73.1 грн
100+ 59.32 грн
250+ 51.8 грн
500+ 46.74 грн
1000+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
KBJ2510G kbj2510g-2451110.pdf
KBJ2510G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
товар відсутній
KBPC15005W kbpc15005w-2450285.pdf
KBPC15005W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+314.06 грн
10+ 243.29 грн
25+ 192.58 грн
100+ 165.87 грн
250+ 151.11 грн
500+ 141.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC1502W kbpc1502w-2450890.pdf
KBPC1502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+314.06 грн
10+ 243.29 грн
25+ 192.58 грн
100+ 165.87 грн
250+ 151.11 грн
500+ 141.98 грн
1000+ 123.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC2501W kbpc2501w-2450400.pdf
KBPC2501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+327.18 грн
10+ 254.61 грн
25+ 201.72 грн
100+ 174.31 грн
250+ 158.85 грн
500+ 130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC35005W kbpc35005w-2451031.pdf
KBPC35005W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.22 грн
10+ 270.78 грн
25+ 215.07 грн
100+ 186.26 грн
250+ 170.09 грн
500+ 161.66 грн
KBPC3501T kbpc3501t-2451764.pdf
KBPC3501T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.22 грн
10+ 270.78 грн
25+ 215.07 грн
100+ 186.26 грн
250+ 170.09 грн
500+ 161.66 грн
KBPC1501W kbpc1501w-2451334.pdf
KBPC1501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
товар відсутній
KBJ2504G kbj2504g-2450633.pdf
KBJ2504G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 25A Bridge Rectifier
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.86 грн
10+ 138.22 грн
25+ 108.24 грн
100+ 92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
W02M GCSR_S_A0000008482_1-2548870.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 1.5A Bridge Rectifier
товар відсутній
GBU8J gbu8j-2450882.pdf
GBU8J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.72 грн
10+ 83.25 грн
25+ 62.91 грн
100+ 50.89 грн
250+ 44.21 грн
500+ 39.71 грн
1000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
KBU1004 kbu1004-2451253.pdf
KBU1004
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 10A Bridge Rectifier
товар відсутній
GBPC3508W gbpc3508w-2450697.pdf
GBPC3508W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.4 грн
10+ 274.82 грн
25+ 218.59 грн
100+ 190.47 грн
250+ 177.82 грн
500+ 166.58 грн
1000+ 162.36 грн
GBPC3510W gbpc3510w-2449715.pdf
GBPC3510W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 35A Si Bridge Rectifier
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+294.38 грн
10+ 244.91 грн
25+ 199.61 грн
100+ 177.82 грн
250+ 170.09 грн
500+ 162.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
KBPC5006T kbpc5006t-2449797.pdf
KBPC5006T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+357.52 грн
10+ 281.28 грн
25+ 223.51 грн
100+ 193.99 грн
250+ 190.47 грн
500+ 146.9 грн
1000+ 146.19 грн
KBPC3502W kbpc3502w-2451250.pdf
KBPC3502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 45 54 63 72 81 90 96  [ Наступна Сторінка >> ]