MBR400100CT GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7201.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR400100CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 200 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR400100CT за ціною від 5598.26 грн до 11468.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MBR400100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A100P/70 |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
MBR400100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
MBR400100CT | Виробник : HITACHI | MODULE |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
MBR400100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower |
товар відсутній |
||||||||||||
MBR400100CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower |
товар відсутній |