![MBR50045CT MBR50045CT](https://eu.mouser.com/images/genesicsemiconductor/lrg/twin-tower.jpg)
MBR50045CT GeneSiC Semiconductor
![mbr50045ct_thru_mbr500100ctr-911313.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 45P/32R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MBR50045CT GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 250A 2TOWER, Packaging: Bulk, Package / Case: Twin Tower, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A, Supplier Device Package: Twin Tower, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V.
Інші пропозиції MBR50045CT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
MBR50045CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
MBR50045CT | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 250 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товар відсутній |