Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5727) > Сторінка 72 з 96
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Power |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GB2X100MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Power |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide power schottky diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide power schottky diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KBP206G | GeneSiC Semiconductor | Diode Rectifier Bridge Single 600V 2A 4-Pin Case KBP |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GC2X5MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GC2X5MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GC2X5MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GBU4A | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 50V 4A 4-Pin Case GBU |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor | 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor | 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R160MT12D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GC08MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GC08MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GBPC2510W | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 1KV 25A 4-Pin Case GBPC-W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GB03SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BR62 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BR64 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G2R120MT33J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
1N3889R | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W |
на замовлення 7767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W |
на замовлення 7767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KBJ401G | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case KBJ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GC02MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GC02MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GC02MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R60MT07D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R60MT07D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G2R50MT33K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
GB2X50MPS12-227 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 11714.34 грн |
GB2X50MPS12-227 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
GB2X50MPS12-227 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 186A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
GB10MPS17-247 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
600+ | 731.01 грн |
GB02SLT12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
77+ | 158.71 грн |
G2R1000MT33J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 1510.48 грн |
10+ | 1367.33 грн |
25+ | 1288.43 грн |
100+ | 1192.21 грн |
250+ | 1061.78 грн |
500+ | 940.52 грн |
G2R1000MT33J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
KBP206G |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 600V 2A 4-Pin Case KBP
Diode Rectifier Bridge Single 600V 2A 4-Pin Case KBP
товар відсутній
GC2X5MPS12-247 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 269.81 грн |
G3R45MT17D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 2005.03 грн |
10+ | 1878.95 грн |
30+ | 1824.46 грн |
120+ | 1724.79 грн |
270+ | 1582.5 грн |
G3R45MT17D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1861.81 грн |
10+ | 1744.74 грн |
30+ | 1694.14 грн |
120+ | 1601.59 грн |
270+ | 1469.46 грн |
G3R45MT17D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R45MT17K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 1549.43 грн |
G3R45MT17K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 5201.01 грн |
G3R45MT17K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 2332.91 грн |
G3R45MT17K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
GBU4A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 4A 4-Pin Case GBU
Rectifier Bridge Diode Single 50V 4A 4-Pin Case GBU
товар відсутній
GD20MPS12A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 464.96 грн |
G3R160MT12D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 526.11 грн |
26+ | 472.1 грн |
27+ | 452.17 грн |
50+ | 435.24 грн |
100+ | 378.81 грн |
250+ | 326.22 грн |
500+ | 300.84 грн |
G2R1000MT17J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
996+ | 763.07 грн |
GC08MPS12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
GC08MPS12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
GBPC2510W |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 25A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 25A 4-Pin Case GBPC-W
товар відсутній
MUR2510 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1253.64 грн |
25+ | 1103.25 грн |
50+ | 1034.05 грн |
100+ | 950.73 грн |
250+ | 828.39 грн |
MUR2510 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
товар відсутній
GB03SLT12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 3A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 503.12 грн |
100+ | 477.04 грн |
250+ | 451.89 грн |
500+ | 400.54 грн |
1000+ | 351.93 грн |
BR62 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
Rectifier Bridge Diode Single 200V 6A 4-Pin Case BR-6
товар відсутній
BR64 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
Rectifier Bridge Diode Single 400V 6A 4-Pin Case BR-6
товар відсутній
G2R1000MT17J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
950+ | 325.08 грн |
G2R120MT33J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 8748.12 грн |
10+ | 8045.34 грн |
1N3889R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 50V 12A 200ns 2-Pin DO-4
товар відсутній
GBPC3508W |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 7767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
72+ | 171.72 грн |
76+ | 161.79 грн |
78+ | 156.46 грн |
100+ | 141.34 грн |
250+ | 124.71 грн |
500+ | 116.5 грн |
1000+ | 112.63 грн |
GBPC3508W |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 800V 35A 4-Pin Case GBPC-W
на замовлення 7767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 159.45 грн |
10+ | 150.23 грн |
25+ | 145.28 грн |
100+ | 131.24 грн |
250+ | 115.8 грн |
500+ | 108.18 грн |
1000+ | 104.58 грн |
KBJ401G |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case KBJ
Rectifier Bridge Diode Single 100V 4A 4-Pin Case KBJ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 66.06 грн |
500+ | 60.64 грн |
1000+ | 56.75 грн |
GC02MPS12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
83+ | 147.8 грн |
GC02MPS12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
GC02MPS12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
GC10MPS12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
GC10MPS12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
G3R60MT07D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R60MT07D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G2R50MT33K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 23961.95 грн |
10+ | 21747.06 грн |
G2R50MT33K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товар відсутній
GD2X100MPS06N |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
145+ | 6796.47 грн |
G3R40MT12D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 1407.18 грн |
10+ | 1286.8 грн |
30+ | 1241.25 грн |
120+ | 1134.17 грн |
G3R40MT12D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R40MT12D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1306.67 грн |
10+ | 1194.88 грн |
30+ | 1152.59 грн |
120+ | 1053.16 грн |
G3R160MT17J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 1651.09 грн |
G3R160MT17J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 1020 грн |
14+ | 922.56 грн |
25+ | 881.4 грн |
100+ | 795.96 грн |
250+ | 703.52 грн |
500+ | 650.35 грн |
G3R160MT17J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 947.15 грн |
10+ | 856.66 грн |
25+ | 818.44 грн |
100+ | 739.1 грн |
250+ | 653.27 грн |
500+ | 603.89 грн |
G3R160MT17J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G2R1000MT17J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 349.76 грн |
G3R350MT12D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній