![G3R60MT07J G3R60MT07J](https://www.mouser.com/images/genesicsemiconductor/lrg/TO-263-7_DSL.jpg)
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 815.08 грн |
10+ | 730.69 грн |
25+ | 611.49 грн |
100+ | 577.05 грн |
250+ | 555.96 грн |
500+ | 539.79 грн |
1000+ | 524.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G3R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції G3R60MT07J за ціною від 557.55 грн до 833.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
G3R60MT07J | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G3R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |