Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5727) > Сторінка 74 з 96

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 81 90 96  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BR108 BR108 GeneSiC Semiconductor br108.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
товар відсутній
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GBJ10J GBJ10J GeneSiC Semiconductor gbj10j.pdf Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товар відсутній
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+500.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34584.02 грн
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722357.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722356.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.91 грн
10+ 196.89 грн
25+ 187.21 грн
50+ 167.1 грн
100+ 148.71 грн
250+ 142.48 грн
500+ 136.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
S85M S85M GENESIC SEMICONDUCTOR GCSR-S-A0000008506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - S85M - Diodenmodul, Silizium, 1 kV, 85 A, 1.1 V, Einfach, DO-5, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-5
Durchlassstoßstrom: 1.8
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: S85M
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1003.84 грн
5+ 896.52 грн
10+ 788.38 грн
50+ 701.35 грн
100+ 618.35 грн
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR GCSR-S-A0017462665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1573.54 грн
5+ 1487.2 грн
10+ 1341.95 грн
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720499.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.09 грн
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720482.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.43 грн
5+ 796.45 грн
10+ 773.05 грн
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR GCSR-S-A0017462394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 150 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.32 грн
5+ 942.51 грн
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720487.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+735.13 грн
5+ 677.83 грн
10+ 657.66 грн
50+ 591.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720492.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+728.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR GC2X5MPS12-247.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 44nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
G3R75MT12D G3R75MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189219.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+839.22 грн
5+ 807.75 грн
10+ 776.28 грн
50+ 692.36 грн
100+ 612.12 грн
250+ 585.15 грн
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GENESIC SEMICONDUCTOR 3189238.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.17 грн
5+ 450.28 грн
10+ 415.58 грн
50+ 378.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GENESIC SEMICONDUCTOR 3189229.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1408.92 грн
5+ 1374.23 грн
10+ 1340.33 грн
50+ 1212.38 грн
MBRH12040R MBRH12040R GENESIC SEMICONDUCTOR 1911887.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - MBRH12040R - Diodenmodul, Silizium, 40 V, 120 A, 650 mV, Einfach, D-67, 1 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D-67
Durchlassstoßstrom: 2kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 650mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 1Pin(s)
Produktpalette: MBRH1
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.7 грн
G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2730.7 грн
G3R45MT17K G3R45MT17K GENESIC SEMICONDUCTOR 3189220.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3560.24 грн
5+ 3559.43 грн
10+ 3558.62 грн
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163666.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.02 грн
10+ 116.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
G3R160MT12J G3R160MT12J GENESIC SEMICONDUCTOR 3189237.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.3 грн
5+ 508.38 грн
10+ 470.45 грн
50+ 431.6 грн
100+ 392.87 грн
250+ 388.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR GCSR-S-A0017462424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.92 грн
10+ 246.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
GE06MPS06A GE06MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163673.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.74 грн
5+ 470.45 грн
10+ 413.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+427.68 грн
5+ 405.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
GE08MPS06A GE08MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163689.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.97 грн
10+ 99.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
G2R120MT33J G2R120MT33J GENESIC SEMICONDUCTOR 3189227.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 402W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8251.01 грн
5+ 8250.2 грн
10+ 8249.39 грн
G3R60MT07D G3R60MT07D GENESIC SEMICONDUCTOR 3967296.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.53 грн
5+ 796.45 грн
10+ 714.95 грн
50+ 643.65 грн
100+ 574.78 грн
250+ 554.02 грн
G2R50MT33K G2R50MT33K GENESIC SEMICONDUCTOR 3967284.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26410.49 грн
5+ 23109.28 грн
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3540.87 грн
G3R350MT12D G3R350MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189231.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+395.4 грн
5+ 348.6 грн
10+ 300.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
GD10MPS12A GD10MPS12A GENESIC SEMICONDUCTOR 3967278.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.92 грн
10+ 245.31 грн
100+ 225.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
G3R60MT07J G3R60MT07J GENESIC SEMICONDUCTOR 3967292.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.94 грн
5+ 777.89 грн
10+ 702.04 грн
50+ 640.66 грн
100+ 581 грн
250+ 570.62 грн
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11596.6 грн
GD25MPS17H GD25MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967293.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD25MPS17H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.7 kV, 56 A, 206 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 206nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1354.86 грн
5+ 1325.81 грн
10+ 1295.95 грн
50+ 1176.41 грн
100+ 1060.32 грн
250+ 1035.42 грн
GD30MPS06H GD30MPS06H GENESIC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.2 грн
5+ 433.33 грн
10+ 378.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD60MPS17H GD60MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3593581.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3626.41 грн
5+ 3529.58 грн
10+ 3427.9 грн
25+ 3135.84 грн
50+ 2852.43 грн
100+ 2681.59 грн
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.18 грн
5+ 345.37 грн
10+ 298.57 грн
50+ 267.5 грн
100+ 237.93 грн
250+ 237.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
GE08MPS06E GE08MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE08MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.3 грн
10+ 142.02 грн
100+ 123.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
GE08MPS06E GE08MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE08MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
G3R20MT17N G3R20MT17N GENESIC SEMICONDUCTOR G3R20MT17N.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 523W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14111.84 грн
GD02MPS12E GD02MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163667.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.27 грн
10+ 88.76 грн
100+ 76.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
G3R20MT12N G3R20MT12N GENESIC SEMICONDUCTOR 3189243.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4217.09 грн
5+ 4182.39 грн
10+ 4148.5 грн
50+ 3819.96 грн
G3R40MT12K G3R40MT12K GENESIC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1333.88 грн
5+ 1309.67 грн
10+ 1285.46 грн
50+ 1171.16 грн
100+ 1060.32 грн
250+ 1039.58 грн
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GENESIC SEMICONDUCTOR GD2X30MPS12N.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2289.3 грн
5+ 2160.19 грн
10+ 2031.08 грн
50+ 1838.8 грн
100+ 1653.78 грн
G3R350MT12J G3R350MT12J GENESIC SEMICONDUCTOR 3189233.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD30MPS06A GD30MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3967281.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: MPS Series
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+383.3 грн
5+ 354.25 грн
10+ 325.2 грн
50+ 292.23 грн
100+ 260.07 грн
250+ 257.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
GC05MPS33J GC05MPS33J GENESIC SEMICONDUCTOR 3967273.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1807.56 грн
5+ 1730.9 грн
10+ 1655.04 грн
50+ 1536.08 грн
100+ 1417.22 грн
S150K S150K GENESIC SEMICONDUCTOR 1911896.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - S150K - Diodenmodul, Silizium, 800 V, 150 A, 1.2 V, Einfach, DO-8, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-8
Durchlassstoßstrom: 3.14kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S150K
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3873.33 грн
5+ 3389.17 грн
10+ 2808.17 грн
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor kbpc3506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T
товар відсутній
G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor kbpc1506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-W
товар відсутній
KBPC1510T GeneSiC Semiconductor kbpc1506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-T
товар відсутній
KBL406G KBL406G GeneSiC Semiconductor kbl408g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
товар відсутній
BR108 br108.pdf
BR108
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
товар відсутній
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GBJ10J gbj10j.pdf
GBJ10J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товар відсутній
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+500.73 грн
Мінімальне замовлення: 25
GA01PNS150-201 2720485.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+34584.02 грн
GB01SLT06-214 2722357.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+221.91 грн
10+ 196.89 грн
25+ 187.21 грн
50+ 167.1 грн
100+ 148.71 грн
250+ 142.48 грн
500+ 136.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
S85M GCSR-S-A0000008506-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S85M
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - S85M - Diodenmodul, Silizium, 1 kV, 85 A, 1.1 V, Einfach, DO-5, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-5
Durchlassstoßstrom: 1.8
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 85
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: S85M
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1003.84 грн
5+ 896.52 грн
10+ 788.38 грн
50+ 701.35 грн
100+ 618.35 грн
GC2X10MPS12-247 GCSR-S-A0017462665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC2X10MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1573.54 грн
5+ 1487.2 грн
10+ 1341.95 грн
GC20MPS12-220 2720499.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+894.09 грн
GC2X8MPS12-247 2720482.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+863.43 грн
5+ 796.45 грн
10+ 773.05 грн
GC2X15MPS12-247 GCSR-S-A0017462394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC2X15MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 150 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+943.32 грн
5+ 942.51 грн
GC15MPS12-247 2720487.pdf
GC15MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+735.13 грн
5+ 677.83 грн
10+ 657.66 грн
50+ 591.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
GC20MPS12-247 2720492.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+728.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 44nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+442.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
G3R75MT12D 3189219.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+839.22 грн
5+ 807.75 грн
10+ 776.28 грн
50+ 692.36 грн
100+ 612.12 грн
250+ 585.15 грн
G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
G2R1000MT17J 3189238.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.45ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+484.17 грн
5+ 450.28 грн
10+ 415.58 грн
50+ 378.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
G2R1000MT33J 3189229.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 3.3 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1408.92 грн
5+ 1374.23 грн
10+ 1340.33 грн
50+ 1212.38 грн
MBRH12040R 1911887.pdf
MBRH12040R
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - MBRH12040R - Diodenmodul, Silizium, 40 V, 120 A, 650 mV, Einfach, D-67, 1 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D-67
Durchlassstoßstrom: 2kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 650mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 1Pin(s)
Produktpalette: MBRH1
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+987.7 грн
G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2730.7 грн
G3R45MT17K 3189220.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3560.24 грн
5+ 3559.43 грн
10+ 3558.62 грн
GE06MPS06E 3163666.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+142.02 грн
10+ 116.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
G3R160MT12J 3189237.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+546.3 грн
5+ 508.38 грн
10+ 470.45 грн
50+ 431.6 грн
100+ 392.87 грн
250+ 388.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
GC02MPS12-220 GCSR-S-A0017462424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC02MPS12-220
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC02MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 12 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+292.92 грн
10+ 246.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
GE06MPS06A 3163673.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+527.74 грн
5+ 470.45 грн
10+ 413.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
GC08MPS12-220 GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC08MPS12-220
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+427.68 грн
5+ 405.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
GE08MPS06A 3163689.pdf
GE08MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 15 A, 20 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+112.97 грн
10+ 99.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
G2R120MT33J 3189227.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R120MT33J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 3.3 kV, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 402W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8251.01 грн
5+ 8250.2 грн
10+ 8249.39 грн
G3R60MT07D 3967296.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+875.53 грн
5+ 796.45 грн
10+ 714.95 грн
50+ 643.65 грн
100+ 574.78 грн
250+ 554.02 грн
G2R50MT33K 3967284.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R50MT33K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 3.3 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 3.3kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G2R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+26410.49 грн
5+ 23109.28 грн
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3540.87 грн
G3R350MT12D 3189231.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+395.4 грн
5+ 348.6 грн
10+ 300.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
GD10MPS12A 3967278.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+292.92 грн
10+ 245.31 грн
100+ 225.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
G3R60MT07J 3967292.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+852.94 грн
5+ 777.89 грн
10+ 702.04 грн
50+ 640.66 грн
100+ 581 грн
250+ 570.62 грн
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11596.6 грн
GD25MPS17H 3967293.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD25MPS17H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.7 kV, 56 A, 206 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 206nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 56A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1354.86 грн
5+ 1325.81 грн
10+ 1295.95 грн
50+ 1176.41 грн
100+ 1060.32 грн
250+ 1035.42 грн
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+488.2 грн
5+ 433.33 грн
10+ 378.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
GD60MPS17H 3593581.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3626.41 грн
5+ 3529.58 грн
10+ 3427.9 грн
25+ 3135.84 грн
50+ 2852.43 грн
100+ 2681.59 грн
GD10MPS12H
GD10MPS12H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+392.18 грн
5+ 345.37 грн
10+ 298.57 грн
50+ 267.5 грн
100+ 237.93 грн
250+ 237.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+174.3 грн
10+ 142.02 грн
100+ 123.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
GE08MPS06E GE08MPS06E.pdf
GE08MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+123.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
G3R20MT17N G3R20MT17N.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 523W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14111.84 грн
GD02MPS12E 3163667.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+124.27 грн
10+ 88.76 грн
100+ 76.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
G3R20MT12N 3189243.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365W
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4217.09 грн
5+ 4182.39 грн
10+ 4148.5 грн
50+ 3819.96 грн
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1333.88 грн
5+ 1309.67 грн
10+ 1285.46 грн
50+ 1171.16 грн
100+ 1060.32 грн
250+ 1039.58 грн
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X30MPS12N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.2 kV, 104 A, 97 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 97nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2289.3 грн
5+ 2160.19 грн
10+ 2031.08 грн
50+ 1838.8 грн
100+ 1653.78 грн
G3R350MT12J 3189233.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD30MPS06A 3967281.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: MPS Series
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+383.3 грн
5+ 354.25 грн
10+ 325.2 грн
50+ 292.23 грн
100+ 260.07 грн
250+ 257.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
GC05MPS33J 3967273.pdf
GC05MPS33J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1807.56 грн
5+ 1730.9 грн
10+ 1655.04 грн
50+ 1536.08 грн
100+ 1417.22 грн
S150K 1911896.pdf
S150K
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - S150K - Diodenmodul, Silizium, 800 V, 150 A, 1.2 V, Einfach, DO-8, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-8
Durchlassstoßstrom: 3.14kA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.2V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S150K
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3873.33 грн
5+ 3389.17 грн
10+ 2808.17 грн
KBPC3510T kbpc3506w.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T
товар відсутній
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
KBPC1510W kbpc1506w.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-W
товар відсутній
KBPC1510T kbpc1506w.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-T
товар відсутній
KBL406G kbl408g.pdf
KBL406G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 81 90 96  [ Наступна Сторінка >> ]